Półprzewodnikowe detektory promieniowania z optyczną mikrownęką rezonansową

Muszalski, J.; Kaniewski, J.

Artykuł - szczegóły

Tytuł artykułu

Półprzewodnikowe detektory promieniowania z optyczną mikrownęką rezonansową

Autorzy

Muszalski J. , Kaniewski J.

Identyfikatory

Warianty tytułu

Microcavity enhanced photo detectors

Języki publikacji

Abstrakty

Fotodetektory z mikrownęką rezonansową są szczególnie przydatne w zastosowaniach, gdzie wymagana jest duża prędkość działania, jak np. we współczesnych systemach telekomunikacyjnych. W detektorach tych duża szybkość działania przy jednocześnie dużej sprawności kwantowej osiągnięta jest dzięki umieszczeniu obszaru aktywnego wewnątrz optycznej wnęki rezonansowej. W niniejszej pracy omówiony jest fotodetektor z mikrownęką rezonansową zaprojektowany na pasmo 1550 nm.

Resonat cavity enhanced photo-detectors are promising candidates for application in high-speed optical communication and interconnections. In these photo-detectors both high bandwidth and high quantum efficiency can be achieved simultaneously due to standing wave formation in the resonant optical cavity. In this paper a state-of-the-art photo-detector designed for 1550 nm is presented.

Słowa kluczowe

mikrownęka półprzewodnikowa fotodetektor półprzewodnikowy InAs

microcavity photodetector InAs

Wydawca

Wydawnictwo SIGMA-NOT

Czasopismo

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

Rocznik

2004

Tom

Vol. 45, nr 5

Strony

42--46

Opis fizyczny

Bibliogr. 24 poz.

Twórcy

autor

Muszalski J.

Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

autor

Kaniewski J.

Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

Bibliografia

1. Bowers J. E., Burrus C. A.: Ultrawide-band long wavelength p-i-n photodetectors. J. Lightwave Technol LT-5,1339,1987.
2. Grudzień M., Piotrowski J.: Infrared Phys. 29, 251, 1989.
3. Piotrowski J., Mucha H., Orman Z., Pawluczyk J., Ratajczak J., Kaniewski J.: Proc. SPIE 5074, 918, 2003.
4. Gokkavas M., Dosunmu G., Unlu M., Mirin R., Ozbay E.: High-speed high-efficiency large-area resonant cavity enhanced p-i-n photodiodes for multimode fiber communications. IEEE Photonics Technol. Lett. 13, 1349, 2001.
5. Nie H., Anselm K., Hu C., Streetman B., Campbell J.: High-speed resonant - cavity separate absorption and multiplication avalanche photodiodes with 130 GHz gain-bandwith product. Appl.Phys. Lett. 70, 161, 1997.
6. Unlu S., Strife S.: Resonant cavity enhanced photonic devices. J. Appl. Phys. 78, 607, 1995.
7. Muszalski J.: SemiconductorMicrocavites. Biblioteka Elektroniki, t. 26, Instytut Technologii Elektronowej Warszawa 2002.
8. Bugajski M.: Elektronika, 2001, nr 2.
9. Onat B. M., Gokkavas M., Ozbay E., Ata E.P., Towe E., Unlu M. S.: 100 GHz Resonant cavity enhanced Schottky photodiodes. IEEE Photonics technology Letters 10, 707, 1998.
10. Huang F. Y., Salvador A., Gui X., Teraguchi N., Morkoc H.: Resonant-cavity GaAs/ InGaAs/AlAs photodiodes with a periodic absorber structure. Appl. Phys. Lett. 63, 141, 1993.
11. Yeh P.: Optical waves in layered media Wiley-lnterscience, 1988.
12. ShimodaK.: Wstęp do fizyki laserów. PWN Warszawa 1993.
13. Nie H., Anselm K., Hu C., Murtuza S., Streetman B., Campbell J.: High-speed resonant-cavity separate absotption and multiplication avalanche photodiodes with 130 GHz gain-bandwith product. Appl Phys. Lett. 70, 161, 1997.
14. Campbell J., Nie H., Lenox C., Kionsey G., Yuan P., Streetman B.: High speed resonant-cavity InGaAs/InAIAs avalanche photodioedes. Int. J. High Speed Lectron Systems 10, 327, 2000.
15. Anselm K., Nie H., Lenox C., Hansieng C., Campbell J., Streetman B.: Resonant-cavity-enhanced avalanche photodiodes grown by molecular besm epitaxy on InP for detection near 1,55 pm. J. Vac. Sei. Technol. B 16, 1426, 1998.
16. Kimukin I., Biyikli N., Unlu S., Ozbay E.: InGaAs-based high performance p-i-n photodioodes. IEEE Photonics Technol. Lett. 14, 366, 2002.
17. Ünlü M., Kishino K., Liaw H., Morkoę H.: A theoretical study of resonant cavity-enhancedphotodectectors with Ge and Si active regions. J. Appl. Phys. 71, 4049, 1992.
18. Kuchibhotla R., Campbell J., Bean J., Peticolas L, Hull R.: Ge0.2Si0.8/ Si Bragg-reflector mirrors for optoelectronic device applications. Appl. Phys. Lett. 62, 2215, 1993.
19. Piotrowski J., Gaius W. and Grudzień M.: Near room-temperature IR photodetectors. Infrared Phys. 31, 1, 1990.
20. Piotrowski J.: HgCdTe Infrared Photodetectors. In Infrared Photodetectors, 391-494, Ed. A. Rogalski, SPIE, Bellingham (1995) and original papers cited therein.
21. Piotrowski J., Kaniewski J.: Optimization of InGaAs infrared photovoltaic detector. lEEProc.-Optoelectron. 146,173,1999.
22. Piotrowski J., Kaniewski J., Regiński K.: Modeling and optimization of InGaAs photovoltaic detectors. Nucl. Instr. Meth. A 439, 647, 2000.
23. Kaniewski J., Orman Z., Piotrowski J., Sioma M., Ornoch L, Romanis M.: Epitaxial tn As detectors optically immersed to GaAs microlenses Proc. SPIE4369, 721, 2001.
24. Kaniewski J., Orman Z., Piotrowski J., Reginski K., Romanis M.: Advanced InGaAs detectors on GaAs substrates. Proc. SPIE 4130, 749, 2000.

Typ dokumentu

Bibliografia

Identyfikator YADDA

bwmeta1.element.baztech-article-BWA2-0008-0114