Effect of illumination on noise of silicon solar cells

• Autorzy: Vanek J. , Chobola Z. , Hasse L.

Warianty tytułu

PL

Wpływ oświetlenia na szumy krzemowych ogniw słonecznych

• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

Transport and noise properties of silicon solar cells in darkness and under illumination have been studied. The measurements were carried out for both reverse and forward bias of the device. The changes in the sample behaviour are due to the variation of PN junction dynamic resistance and, also, the occurence of both 1/f and generation-recombination noise components.

PL

Przeprowadzono badania eksperymentalne charakterystyk stałoprądowych i właściwości szumowych krzemowych ogniw słonecznych spolaryzowanych w kierunku przewodzenia jak i zaporowym, zarówno bez oświetlenia jak i przy oświetleniu. Stwierdzono zmiany właściwości ogniw wskutek oświetlenia spowodowane modyfikacją rezystancji dynamicznej złącza PN oraz występowaniem składowych szumów 1/f i generacyjno-rekombinacyjnych.

Słowa kluczowe

EN

solar cells; transport characteristics; effect illumination

PL

ogniwa słoneczne; charakterystyka stałoprądowa; wpływ oświetlenia

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2004
• Tom: Vol. 45, nr 5
• Strony: 16--17
• Opis fizyczny: Bibliogr. 8 poz.

Twórcy

autor

Vanek J.

• Brno University of Technology, Faculty of Electrical Engineering, Department of Electrotechnology

autor

Chobola Z.

• Brno University of Technology, Faculty of Civil Engineering Physics Department

autor

Hasse L.

• Gdańsk University of Technology, Faculty of Electronics, Telecommunication and Informatics, Department of Metrology and Electronic Systems

Bibliografia

• 1. A. van der Ziel: Noise in Solid State Devices and Circuits. New York: Wiley, 1986.
• 2. Komashchenko V. N., Lukyanichova N.B., Fedrus G.A., and Sheinkman M. K.: Mechanisms of current passing through the p(Cu/sub 2/ Se)-n(CdSe) thin-film heterojunction in dark and under illumination. Proc. Int. Conf, on Physics and Chemistry of Semiconductor Heterojunctions and Layer Structures, Akademiai Kiado, Budapest, Hungary. Part 1, 1971, pp. 213-20.
• 3. Gill W. D., and Bube R. H.: Photovoltaic properties of Cu2S-CdS heterojunctions. J. Appl. Phys., vol. 41, August 1970, pp. 3731-8.
• 4. Lukyanchikova N. B., Garbar N. P., Sheinkman M. K., and Zargarjantz M. N.: Nature of current and of forward-bias electroluminescence excess noise in GaAs-diodes. Solid-State Electronics, vol. 15, no. 7, July 1972, pp. 801-7.
• 5. Stutenbaeumer U., Mesfin B.: Equivalent model of monocrystalline, polycrystaline and amorphus silicon solar cells. Renewable Energy, vo. 18, no. 4, December 1999, pp. 501-512.
• 6. Chobola Z.: Impulse noise in silicon solar cells. Microelectronics Journal, vol. 32, no. 9, September 2001, pp. 707-11.
• 7. Chobola Z.: Noise as a tool for nondestructive testing of single-crystal silicon solar cells. Microelectronics & Reliability, vol. 41, no. 12, December 2001, pp. 1947-52.
• 8. ChobolaZ., Ibrahim A.: Noise and scanning by local illumination as reliability estimation for silicon solar cells. Fluctuation & Noise Letters, vol. 1, no. 1, March 2001, pp. L21-6.