Systemy monitorowania i eliminowania zagrożeń bezpieczeństwa w procesach wytwarzania związków półprzewodnikowych

• Autorzy: Orzyłowski M. , Rudolf Z. , Witowski A. , Machalica P.

Warianty tytułu

EN

The systems of monitoring and elimination of the risk in semiconductor compounds production processes

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Proces syntezy i polikrystalizacji związków półprzewodnikowych przebiega w hermetycznych reaktorach kwarcowych w temperaturze do 1250°C oraz przy cisnieniu dochodzącym do 3 MPa bez możliwości bezpośredniego pomiaru tych wielkości wewnątrz reaktora. Nieprawidłowości przebiegu procesu mogą doprowadzić do eksplozji lub implozji reaktora i w konsekwencji zniszczenia pieca oraz zanieczyszczenia wnętrz autoklawu przez substancje, które są agresywne, palne i trujace, np. biały fosfor. Ze względu na niemożliwość sterowania bezpośredniego przebiegiem procesu konieczne stało się pośrednie wieloetapowe sterowanie rozkładem temperatury wielosekcyjnego grzejnika. Opisano konstrukcję urządzenia i sposób jego sterowania oraz sposoby wykrywania obecności niebezpiecznych substancji na zewnątrz reaktora.

EN

The process of synthesis and polycrystallization of semiconductor compounds is realized in hermetic quartz reactors in temperature up to 1250°C and pressure up to 3 MPa without possibility of direct measurement of these variables inside reactor. The irregularities of the process realization can cause explosion or implosion and in consequence destruction of the furnace and contamination of the autoclave by chemicals which are aggressive, flammable and poisonous e.g. white phosphorus. Because of impossibility of direct control of process realization the multi-step indirect control of temperature distribution of the multi-section heater is necessary. The construction of the installation and way of the control and methods of detection of hazardous chemicals outside of the reactor are presented.

Słowa kluczowe

PL

związki półprzewodnikowe; synteza; monitoring; bezpieczeństwo

EN

synthesis; monitoring; safety; semiconductor compounds

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2004
• Tom: Vol. 45, nr 4
• Strony: 15--18
• Opis fizyczny: Bibliogr. 9 poz.

Twórcy

autor

Orzyłowski M.

• Przemysłowy Instytut Elektroniki, Warszawa

autor

Rudolf Z.

• Przemysłowy Instytut Elektroniki, Warszawa

autor

Witowski A.

• Przemysłowy Instytut Elektroniki, Warszawa

autor

Machalica P.

• Przemysłowy Instytut Elektroniki, Warszawa

Bibliografia

• 1. Matsumoto C.: Startup hits 80 Gbit/s with indium phosphide chips. EE Times (EDTN), 24 January 2002.
• 2. Larners, D.: Indium Phosphide, The Art of Change: Technologies for Designing Our Future. EE Times, September 12, 2002.
• 3. Derbyshire K.: Prospects Bright for Optoelectronics. Semiconductor Manufacturing Magazine, March 2002, vol. 3, No. 3.
• 4. Dz. U. Nr 11, poz. 84 2001 r.
• 5. Dz. U. Nr 140, poz. 1171 2002 r.
• 6. Zgłoszenie patentowe nr 1/573/03 - Sposób monitorowania atmosfery w urządzeniu do syntezy polikrystalicznego fosforku indu.
• 7. Environmental Protection Act 1990 - Technical Guidance Note M4 (Monitoring) Standards in Support of IPC Monitoring August 1995, London: HMSO.
• 8. NATO Handbook on the Medical Aspects of NBC Defensive Operations. Part III - Chemical Section II - Flame Materials.
• 9. Bissonnette M.: Chemist M. Sc. Everything you wanted to know about multigas detectors.