Pomiar termicznego stanu przejściowego jako metoda obliczania aktywnej powierzchni krzemu

• Autorzy: Kawka P. , De Mey G. , Napieralski A.

Warianty tytułu

EN

Transient thermal measurement for silicon active area calculations

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Przedstawiono prostą metodę pomiaru aktywnej powierzchni krzemu dowolnego elementu elektronicznego. Metoda jest bezinwazyjna i może być zastosowana do dowolnego urządzenia, jeśli tylko występuje w nim złącze p-n. Opiera się ona na pomiarze odpowiedzi termicznej elementu. Układ poddany jest wymuszeniu jednostkowemu mocy, w wyniku czego następuje nagrzewanie się elementu. Wartość napięcia na złączu p-n przeliczana jest na temperaturę. Na podstawie przebiegu nieustalonego temperatury tworzona jest sieć termiczna RC.

EN

The article presents a simple method of calculating active silicon area of an electronic device. The method is non-invasive one and can be applied to any electronic device where a p-n junction exists. The method is based on a basic thermal transient measurement of p-n junction (voltage converted to temperature). Extracting values of thermal resistance and capacity of the RC ladder, the silicon area where the heat is dissipated can be calculated.

Słowa kluczowe

PL

przewodzenie ciepła; termiczne stałe materiałów; pomiar stanu przejściowego

EN

heat transfer; heat conduction; thermal material constants; transient thermal measurements; silicon active area; RC ladder

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2004
• Tom: Vol. 45, nr 1
• Strony: 33--35
• Opis fizyczny: Bibliogr. 4 poz.

Twórcy

autor

Kawka P.

• Uniwersytet Gandawa, Belgia
• Politechnika Łódzka

autor

De Mey G.

• Uniwersytet Gandawa, Belgia

autor

Napieralski A.

• Politechnika Łódzka

Bibliografia

• [1] Rencz M., Szekely V., Poppe A., Farkas G., Courtois B.: New Methods and Supporting Tools for the Thermal Transient Testing of Packages. APACK 2001 Conference on Advances in Packaging, Singapore.
• [2] Streetman B.G.: Solid State Electronic Devices, p. 272-175, ISBN 0-13-824749-8.
• [3] Kawka P., de Mey G., Napieralski A.: Transient Thermal Measurements of Integrated Circuits Based on Inverse Heating. Mixdes Conference 2002, p. 401-404.
• [4] Szekely V.: On the Representation of Infinite length distributed RC One-port. IEEE Transactions on Circuits and Systems, Vol. 38, No. 7, July 1991.