PL EN


Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Tytuł artykułu

Spektroskopia szumowa. Cz. 1, System pomiarowy, badania struktur półprzewodnikowych

Identyfikatory
Warianty tytułu
EN
Noise spectroscopy. Pt. 1, Measurement system, investigations of semiconductor structures
Języki publikacji
PL
Abstrakty
PL
Wyniki pomiarów szumów małoczęstotliwościowych różnych obiektów stanowią cenne narzędzie diagnostyki jakości tych obiektów. W pierwszej części pracy przedstawiono system umożliwiający przeprowadzenie takich pomiarów oraz problemy zastosowania tego rodzaju diagnostyki w wykrywaniu wad montażu przyrządów półprzewodnikowych.
EN
Results of low frequency noise measurements of different kind objects present a valuable diagnostic tool for their quality evaluation. In the first part of the paper the measurement system and problems of noise spectroscopy application in detection of packaging defects of semiconductor devices and in wafer level noise measurements in the probe system have been presented.
Rocznik
Strony
22--26
Opis fizyczny
Bibliogr. 11 poz.
Twórcy
autor
  • Brno University of Technology, Faculty of Civil Engineering, Physics Department
autor
  • Politechnika Gdańska, Katedra Metrologii i Systemów Elektronicznych
autor
  • Brno University of Technology, Faculty of Electrical Engineering, Czech Noise Research Laboratory
autor
  • Politechnika Gdańska, Katedra Metrologii i Systemów Elektronicznych
Bibliografia
  • [1] Spiralski L., Hasse L., Konczakowska A.: Szumy i zakłócenia. Metody i systemy pomiarowe oraz diagnostyka jakości obiektów. Zeszyty Naukowe PG, Wydział Elektroniki, 2002, nr 5, s. 171-186.
  • [2] Hansdorfer Zb.: Prognozowanie niezawodności tranzystorów metodą badania szumów typu 1/f. Biuletyn Informacyjny CEMI, nr 3, 1971.
  • [3] Graffeull J., Blasquez G.: Semiconductor materials and devices characterization by noise measurements. Acta Electron, vol. 22, no. 3, 1983, s. 261-279.
  • [4] Konczakowska A.: Szumy małoczęstotliwościowe a indywidualne prognozowanie niezawodności elementów elektronicznych. Zeszyty Naukowe Politechniki Gdańskiej, nr 485, Elektronika nr 77, 1992.
  • [5] Mihaila M., Amberiadis K., Van der Ziel A.: 1/f g-r and burst noise induced by emitter-edge dislocations in bipolar transistors. Solid-State Electron., vol. 27, no. 7, 1984, s. 675-676.
  • [6] Stoisiek M., Wolf D.: Effect of phosphorus gettering on 1/f noise in bipolar transistors. Solid-State Electron., vol. 25, no. 2, 1982, s. 141-143.
  • [7] Spiralski L., Konczakowska A.: Ocena niezawodności elementów półprzewodnikowych. Elektronizacja, 2003, nr 2, s. 2-5.
  • [8] Stojadinovic N. D.: Influence of emitter edge dislocations on reliability of planar NPN transistors. Microelectronics Reliability, vol. 22, no. 6, 1982, s. 1113-1120.
  • [9] Grzybowski B.: Wykrywanie wad operacji montażowych tranzystorów przez pomiary ich szumów małoczęstotliwościowych. Rozprawa doktorska. Instytut Technologii Elektronowej w Warszawie, 1990.
  • [10] Spiralski L., Hasse L, Konczakowska A., Smulko J., Cichosz J.: Badania szumów 1/f wspomagane komputerowo jako narzędzie diagnostyczne jakości obiektów. Materiały konferencyjne, V Szkoła-Konferencja „Metrologia wspomagana komputerowo”, Rynia k. Warszawy, 21-24 maja 2001, t. 3, S. 43-50.
  • [11] Pałczyńska B., Turczyński J., Konczakowska A., Spiralski L.: Sposób pomiaru przebiegów niepożądanych w zakresie małych i wielkich częstotliwości w sieci zasilania niskiego napięcia, zwłaszcza w sieci okrętowej. Zgłoszenie patentowe nr 140152/2000.
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BWA2-0008-0053
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.