PL EN


Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Tytuł artykułu

Spektroskopia szumowa. Cz. 2, Badania przyrządów półprzewodnikowych, szumy elektrochemiczne i emisja akustyczna w diagnostyce

Identyfikatory
Warianty tytułu
EN
Noise spectroscopy. Pt. 2, Investigations of semiconductor devices, electrochemical noise and acoustic emission in diagnostics
Języki publikacji
PL
Abstrakty
PL
Wyniki pomiarów szumów małoczęstotliwościowych różnych obiektów stanowią cenne narzędzie diagnostyki jakości tych obiektów. W drugiej części pracy przedstawiono wybrane metody i wyniki badań szumów małoczęstotliwościowych przyrządów półprzewodnikowych, w tym nieliniowości HEMT z GaAs, elementów mocy oraz ogniw słonecznych, a także wykorzystanie w diagnostyce szumów elektrochemicznych oraz emisji akustycznej.
EN
Results of low frequency noise measurements of different kind objects present a valuable diagnostic tool for their quality evaluation. In the second part of the paper the selected methods and results of low frequency noise measurements of semiconductor devices (nonlinearities of GaAs High Electron Mobility Transistors - HEMTs power semiconductors, solar cells) have been presented. Application of the electrochemical noise and the acoustic emission in diagnostic was described too.
Rocznik
Strony
7--11
Opis fizyczny
Bibliogr. 8 poz., rys., wykr.
Twórcy
autor
  • Brno University of Technology, Faculty of Civil Engineering, Physics Department
autor
  • Politechnika Gdańska, Wydział Elektroniki, Telekomunikacji i Informatyki, Katedra Metrologii i Systemów Elektronicznych
autor
  • Brno University of Technology, Faculty of Electrical Engineering, Czech Noise Research Laboratory
autor
  • Politechnika Gdańska, Wydział Elektroniki, Telekomunikacji i Informatyki, Katedra Metrologii i Systemów Elektronicznych
Bibliografia
  • 1. Konczakowska A., Cichosz J., Hasse L., Smulko J., Jeleński A., Dobrzański L.: The 1/f noise in GaAs MESFET transistors. Proc. 14th Intern. Conf. „Noise in physical systems and 1/f fluctuations”, Leuven, July 14-18, 1997, s. 59-62.
  • 2. Konczakowska A., Hasse L., Spiralski L.: 1/f noise of GaAs MESFETs and their quality. Metrologia i Systemy Pomiarowe, vol. IV, No. 3-4, 1997, s. 137-146.
  • 3. Jones B. K., Graham C.N., Konczakowska A., Hasse L.: The coherence of the gate and drain noise in stressed AIGaAs-lnAIGaAs PHEMTs. Microelectronics Reliability, 41, 2001, s. 87-97.
  • 4. Smulko J., Darowicki K.: Nonlinearity of electrochemical noise caused by pitting corrosion. J. Electroanalytical Chemistry, 2003, vol. 545, s. 59-63.
  • 5. Smulko J., Darowicki K., Zieliński A.: Detection of random transients caused by pitting corrosion. Electrochimica Acta, 2002, vol. 47, S. 1297-1303.
  • 6. Chobola Z., Ruzicka Z., Hasse L: Low frequency noise and DLTS Silicon Solar Cell Characterization Tools. Elektronika 2002, nr 6, s. 32-33.
  • 7. Chobola Z., Korenska Marta, Korenska Monika, Pazdera L., Smutny J., Sikula J., Weber Z.: Non-Destructive Testing Method - Acoustic Emission with Generated Load. Proceedings of International Workshop, Research Activities of Physical Departments of Civil Engineering Faculties in the Czech and Slovak Republics, Bratislava, September 6-8, 2000, s. 63-64.
  • 8. Hasse L., Spiralski L, Sikula J.: Pomiary emisji akustycznej i elektromagnetycznej jako narzędzia oceny jakości obiektów. Materiały Krajowego Kongresu Metrologii KKM'2001. Warszawa 24-27.06.2001, t. III, s. 731-734.
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BWA2-0008-0043
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.