Rozwój technologii SOI do realizacji monolitycznego detektora mozaikowego

• Autorzy: Niemiec H. , Klatka T. , Kozieł M. , Kucewicz W. , Kuta S. , Machowski W. , Sapor M. , Szelezniak M. , Domański K. , Grabiec P. , Grodner M. , Jaroszewicz B. , Kociubiński A. , Kucharski K. , Marczewski J. , Tomaszewski D.

Warianty tytułu

EN

Technology development for silicon monolithic pixel sensor in SOI technology

• Konferencja: Mixed Design of Integrated Circuits and Systems MIXDES 2003 (26-28.06.2003 ; Łódź, Polska)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Opisano wykonany w technologii SOI (ang. Silicon on Insulator) nowy, krzemowy detektor mozaikowy scalony z elektroniką odczytową. Przybliżono podstawowe założenia nowej technologii sensora SOI oraz przedstawiono wyniki pomiaru dedykowanej struktury testowej.

EN

New generation of monolithic silicon pixel detectors, fabricated on the SOI (Silicon on Insulator) substrate, is described in this paper. A new technology, which combines the standard CMOS process with the pixel detector manufacturing technique and the results of dedicated SOI test structures measurement are presented.

Słowa kluczowe

PL

krzemowe detektory mozaikowe; technologia SOI

EN

silicon pixel detectors; silicon-on-insulator technology

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronizacja : podzespoły i zastosowania elektroniki
• Rocznik: 2003
• Tom: Vol. 23, nr 10
• Strony: 19--24
• Opis fizyczny: Bibliogr. 8 poz., rys., wykr.

Twórcy

autor

Niemiec H.

• Akademia Górniczo-Hutnicza, Kraków

autor

Klatka T.

• Akademia Górniczo-Hutnicza, Kraków

autor

Kozieł M.

• Akademia Górniczo-Hutnicza, Kraków

autor

Kucewicz W.

• Akademia Górniczo-Hutnicza, Kraków

autor

Kuta S.

• Akademia Górniczo-Hutnicza, Kraków

autor

Machowski W.

• Akademia Górniczo-Hutnicza, Kraków

autor

Sapor M.

• Akademia Górniczo-Hutnicza, Kraków

autor

Szelezniak M.

• Akademia Górniczo-Hutnicza, Kraków

autor

Domański K.

• Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

autor

Grabiec P.

• Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

autor

Grodner M.

• Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

autor

Jaroszewicz B.

• Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

autor

Kociubiński A.

• Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

autor

Kucharski K.

• Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

autor

Marczewski J.

• Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

autor

Tomaszewski D.

• Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

Bibliografia

• 1. Marczewski J.: Współczesne kierunki rozwoju pikselowych detektorów promieniowania jądrowego. Elektronizacja, nr 4, 2000.
• 2. Caccia M. et al.: Silicon Ultra Fast Cameras for Electron and Gamma Sources in Medical Applications. 8th Topical Seminar on Innovative Particle and Radiation Detectors, Siena, Italy 2002.
• 3. Niemiec H. et al.: Hybrid Active Pixel Sensors and SOI Inspired Option. Nucl. Instr. and Meth. A 511/1-2, pp. 265-270, 2003.
• 4. Chediak A. et al.: SIMOX The „Winner" for 300 mm SOI Wafer Fabrication. University of California, Berkeley, electronic file available at www.me.berkeley.edu/faculty/sands/MSE125%2520alias//TICS5GRP7.pdf, 2002.
• 5. Marshall A., Natarajan S.: SOI Design: Analog, Memory and Digital Techniques. Kluwer, 2001.
• 6. Razavi B.: CMOS Technology Characterization for Analog and RF Design. IEEE Custom Integrated Circuits Conference, San Diego, California, USA, May 1999.
• 7. IC-CAP Parameter Extraction and Device Modeling Software (http://eesof.tm.agilent.com/product/85l90a-a.htmJ).
• 8. Tomaszewski D. et al.: A Versatile Tool for Extraction of MOSFET Parameters. Diagnostic and Yield 2003 - Symposium on Advanced Silicon Devices and Technologies for VLSI Era in IC's Production Advanced Silicon Devices, Warsaw, Poland, June 2003.