Elektronika wysokotemperaturowa

• Autorzy: Boratyński B. , Strupiński W.
• Konferencja: Krajowa Konferencja Elektroniki (2 ; 9-12.06.2003 ; Kołobrzeg, Polska)
• Języki publikacji: PL

Słowa kluczowe

PL

materiały z szeroką przerwą zabronioną; struktury przyrządowe

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronizacja : podzespoły i zastosowania elektroniki
• Rocznik: 2003
• Tom: Vol. 23, nr 11
• Strony: 23--25
• Opis fizyczny: Bibliogr. 9 poz.,rys., wykr.

Twórcy

autor

Boratyński B.

• Politechnika Wrocławska, Wydział Elektroniki Mikrosystemów i Fotoniki

autor

Strupiński W.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, Warszawa

Bibliografia

• 1. Shur M. S., Bykhovski A. D., Gaska R.: MRS J. Nitride Semi. Res., 4S1, Gl.6, 1999.
• 2. Kordos P.: Proc. ID Euroconference on Advanced Semiconductor Devices and Microsystems, Smolenice, 2000, 47-50.
• 3. Shur M. S., Dmitriew V. A., Den Bars S. P.: Executive Summary, 1999.
• 4. E. Danielsson et al.: Materials Science Forum, 338-342, 2000, 1049-1052.
• 5. L. Eastman et al., IEEE Trans. Electron Dev., 48, 2001, 479-485.
• 6. S. T. Sheppard et al.: IEEE Trans. Electron Dev. Lett, 20, 1999, 161-165.
• 7. Y-F Feng, IEEE Trans. Electron Dev., 48, 2001, 586-590.
• 8. Starikov E. et al.: IEEE Tran. Electron Dev., 48, 2001, 438-443.
• 9. Paszkiewicz B., Cryst J.: Growth, 230/3-4, (2001), 590.