Równoległa praca tranzystorów MOS i IGBT w układach przełączających

• Autorzy: Worek C.
• Konferencja: Krajowa Konferencja Elektroniki (2 ; 9-12.06.2003 ; Kołobrzeg, Polska)
• Języki publikacji: PL

Słowa kluczowe

PL

tranzystor MOS; tranzystor IGBT; wyniki pomiarów; wyniki symulacji

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronizacja : podzespoły i zastosowania elektroniki
• Rocznik: 2003
• Tom: Vol. 23, nr 11
• Strony: 11--13
• Opis fizyczny: Bibliogr. 7 poz., rys., wykr.

Twórcy

autor

Worek C.

• Akademia Górniczo-Hutnicza, Katedra Elektroniki

Bibliografia

• 1. Pawelski W.: Sterowanie tranzystorów IGBT. Politechnika Łódzka, Łódź 2001.
• 2. Pressman A. I.: Switching power supply design. McGraw-Hill, New York 1991.
• 3. AN-941, Paralleling hexfet power mosfets, International Rectifier.
• 4. Forsythe J. B.: Paralleling of PowerMOSFETs for Higher Power Output. International Rectifier.
• 5. INT990, Application Characterization of IGBTs, International Rectifier.
• 6. AN-9320, Parallel Operation of Semiconductor Switches, Harris Semiconductors.
• 7. Dora J.: Zasilacz rezonansowy. Patent RP nr 178285, 1996.03.06.