Wielodomenowe modelowanie i praktyczna weryfikacja tranzystorów jonoczułych ISFET

• Autorzy: Janicki M. , Daniel M. , Napieralski A.

Warianty tytułu

EN

Multidomain modelling and practical verification of ion sensitive transistor

• Konferencja: Mixed Design of Integrated Circuits and Systems MIXDES 2003 (26-28.06.2003 ; Łódź, Polska)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Zaprezentowano model tranzystora jonoczułego. Tranzystory tego typu wykorzystywane są do pomiaru kwasowości roztworów i mogą być wykorzystywane w systemach kontroli jakości wód. Przedstawiony przez autorów model uwzględnia podstawowe zależności temperaturowe, przy czym jest stosunkowo prosty i dokładny. Weryfikacja modelu została dokonana na podstawie pomiarów rzeczywistych struktur.

EN

In this paper the multidomain model of Ion Sensitive Field Effect Transistor was presented. Presented model combines the simplicity and accuracy and can be implemented in any SPICE-like simulator. The simulation results were compared to the measurements of the real structures.

Słowa kluczowe

PL

ISFET; modelowanie wielodomenowe; VHDL-AMS

EN

ISFET; VHDL-AMS; multidomain modelling

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronizacja : podzespoły i zastosowania elektroniki
• Rocznik: 2003
• Tom: Vol. 23, nr 10
• Strony: 3--7
• Opis fizyczny: Bibliogr. 9 poz., rys., wykr.

Twórcy

autor

Janicki M.

• Politechnika Łódzka, Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych

autor

Daniel M.

• Politechnika Łódzka, Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych

autor

Napieralski A.

• Politechnika Łódzka, Katedra Mikroelektroniki i Technik Informatycznych

Bibliografia

• 1. Yates D. E., Levine S., Healy T. W.: Site-binding model of the electrical double layer at the oxide water interface. Journal of the Chemical Society, Faraday Transactions I, Vol. 70, 1974, pp. 1807-1818.
• 2. Meixner L. K., Koch S.: Simulation of ISFET Operation Based on the Site Binding Theory. Sensors and Actuators B, 6/1992, pp. 315-318.
• 3. Fung C.D., Cheung P.W.: A Generalized Theory of an Electrolyte-Insulator-Semiconductor Field Effect Transistor. IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 33, No. 1, January l986, pp. 8-18.
• 4. Ogrodzki J., Opalski L. : Modeling of Semi-conductor pH Sensors for CAD. Proceedings of the 7th International Conference Mixed Design of Integrated Circuits and Systems - MIXDES 2000, 15-17 June 2000, Gdynia, Poland, pp. 259-264.
• 5. Daniel M., Szermer M., Napieralski A., Wróblewski W., Dybko A.: Ion-selective sensors modelling for CAD. 9th International Conference Mixed Design of Integrated Circuits and Systems-MIXDES 2002, 20-22 June 2002, Wrocław, Poland, pp. 147-150.
• 6. Grattarola M., Massobrio G., Martinoia S.: Modelling H + Sensitive FET's with SPICE. IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 39, No. 4, April 1992, pp. 813-819.
• 7. Jachowicz R., Weremczuk J., Sochoń J.: Automatic stand for IS-FET sensors parameters identification. Proceeding of the 9th International Conference Mixed Design of Integrated Circuits and Systems-MIXDES 2002, 20-22 June 2002, Wrocław, Poland, pp. 199-202.
• 8. Torbicz W.: Theory and Properties of FETs a Biochemical Sensors (in Polish). Institute of Biocybemetics and Biomedical Engineering Polish Academy of Science, 1988.
• 9. Szermer M., Daniel M., Napieralski A.: Design and Modelling of Smart Sensor Dedicated for Water Pollution Monitoring. Proceedings of the 2003 Nanotechnology Conference NANOTECH 2003, San Francisco, CA, USA, 23-27 February 2003, Vol. 1, pp. 110-114.