Mikrofalowe tranzystorowe wzmacniacze nadawcze dużej mocy

• Autorzy: Wojtasiak W.

Warianty tytułu

EN

Microwave power solid-state amplifiers

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Mikrofalowe wzmacniacze dużej mocy są podstawowym elementem większości urządzeń nadawczych systemów radiolokacyjnych i radiokomunikacyjnych. Przedstawiono najnowsze osiągnięcia technologii mikrofalowych tranzystorów dużej mocy LDMOS i push-pull GaAs FET, istotne elementy procesu projektowania stopni dużych mocy, opartego na analizie nieliniowej elementu aktywnego oraz przykłady wzmacniaczy zastosowanych w układach nadwczych.

EN

The high power solid-state amplifiers are widely used in many microwave systems as radiolocation, mobile communications, wireless LAN, satellite communications. This paper describes the modern performances of microwave transistor technology, the design process and the structure of high power amplifiers and the example worked out circuits.

Słowa kluczowe

PL

mikrofalowy tranzystor mocy; wzmacniacz nadawczy; LDMOS; Push-Pull GaAs FET; technika Source-Pull/Load-Pull; dzielnik mocy; sumowanie mocy

EN

high power amplifiers; transistor; transmitter; LDMOS; push-pull GaAs FET; Source-Pull/Load-Pull technique; power combining; power divider

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronizacja : podzespoły i zastosowania elektroniki
• Rocznik: 2003
• Tom: Vol. 23, nr 7-8
• Strony: 16--20
• Opis fizyczny: Bibliogr. 10 poz.

Twórcy

autor

Wojtasiak W.

• Politechnika Warszawska, Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych

Bibliografia

• 1. Wojtasiak W., Pryczek A.: Miniaturowy nadajnik systemu IFF. XI Konf. Naukowa „Sterowanie w Radiolokacji i Obiektach Latających", Jelenia Góra, 14-16 czerwca 2000, t. I, ss. 249-257.
• 2. Murae T., Fujii K, Matsuno T.: High Power S-band Solid-state Amplifiers for Surveillance and Traffic Control Radars. 2001 IEEE MTT-S Dig. pp. 653-656.
• 3. Wojtasiak W., Gryglewski D., Morawski T., Sędek E.: Desining T/R module for active phased array radar, XIV International Conference on Microwaves Radar and Wireless Communications, MIKON'02, Gdańsk, 20-22 maja 2002, vol. 2, pp. 631-634.
• 4. Wojtasiak W.: Wzmacniacze dużej mocy z tranzystorami Si-LD-MOS i Push-Pull GaAs FET na pasma WCDMA i ISM2.4 XI. KKE 2003, czerwiec 2003, t. 1, ss. 289-293 .
• 5. Michnowski R., Wojtasiak W.: The thermal effects in LDMOS transistor. XIV lnternational Conference on Microwaves Radar and Wireless Communications, MIKON'02, Gdańsk, 20-22 maja 2002, vol. 1, pp. 89-92.
• 6. Inoue K., Ebhara K., Haematsu H., Igarashi T., Takahashi T., Fukaya J.: A 240W Push-Pull GaAs Power FET for W-CDMA Base Station. IEEE MTT-S Digest, 2000, pp. 1719-1722.
• 7. Sakura N., Matsunaga K., Ishikura K., Takenaka I., Asamo K., Iwata K., Kanamori M., Kuzuhara M.: 1O0WL-Band GaAs Power FP-HFET Operated at 30 V IEEE MTT-S Digest, 2000, pp. 1715-1718.
• 8. Barlas D., Henderson G., Zhang X.: SiGe Transistor Technology for RF Applications. Microwave Journal, vol. 42, no. 6, June 1999, pp. 22-39.
• 9. Allen S. T., Pribble W. L., Sadler R. A., Alcorn T. S., Ring Z., Palmour J. W.: Progress in High Power SiC Microwave MESFETs. IEEE MTT-S Digest, 1999, pp. 321-324.
• 10. Morimoto S., Maeda M., Yokoyama T., Ishida H., Nakamura N., Ota Y., Ueda D.: A Compact, High Efficiency, 120Watts GaAs Power Amplifier Module for the 3rd Generation Cellular Base Stations. IEEE MTT-S Digestt, 1999, pp. 325-328.