Arsenek indu : półprzewodnik A^III B^V : możliwości nowych zastosowań

• Autorzy: Seroczyńska B.

Warianty tytułu

EN

Indium arsenide : an A^III B^V semiconductor : new application perspectives

• Języki publikacji: PL

Słowa kluczowe

PL

arsenek indu; InAs; półprzewodniki

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronizacja : podzespoły i zastosowania elektroniki
• Rocznik: 2002
• Tom: nr 1-2
• Strony: 14--16
• Opis fizyczny: Bibliogr. 12 poz., tab., wykr.

Twórcy

autor

Seroczyńska B.

• Instytut Fizyki PAN (emeryt)

Bibliografia

• 1. Hannay N.: Półprzewodniki. PWN, Warszawa 1959.
• 2. Wojas J.: Badania fotoelektrycznych i powierzchniowych własności monokryształów GaAs o termicznie czyszczonych powierzchniach. Wydawnictwo WSP w Olsztynie, Olsztyn 1976-1977.
• 3. Gobeli G., Allen F.: Photoelectric properties of GaAs, GaSb, InAs, InSb. Phys.Rev., vol. A137, 245, 1965.
• 4. Seroczyńska-Wojas B.: Photoemissive properties and photoelectric thresholds of oriented InAs single crystals. Acta Phys. Pol., vol. A51, 677, 1977.
• 5. Seroczyńska-Wojas B.: Badania zewnętrznego efektu fotoelektrycznego w półprzewodnikach InSb i InAs. Prace Naukowe Politechniki Warszawskiej, Elektronika, z. 63, Warszawa 1983-1984.
• 6. Fischer T.: Determination of semiconductor surface properties by means of photoelectric emission. Surf. Science, vol. 13, 30, 1969.
• 7. Rogalski A.: Nowe tendencje w rozwoju detektorów promieniowania elektromagnetycznego. Postępy Fizyki, vol. 51, z. 2, 57, 2000.
• 8. Ricolfi T.: Infrared sensors for temperature measurement. Materiały Konferencji „Sensor Construction, Technologies and Sensor Systems”, Gliwice 1995.
• 9. Harris L. i inni: Emission spectra and mode structure of InAs/GaAs self - organized quantum dot lasers. Appl. Phys. Lett., vol. 73, 969, 1998.
• 10. Yusa G., Sakaki H.: Trapping of photogenerated carriers by InAs quantum dots in novel GaAs(n)-AlGaAs field-effect transistor structures. Appl. Phys. Lett., vol. 70, 345, 1997.
• 11. Wang J. i inni: Photoluminescence of InAs quantum dots grown on GaAs surface. Appl. Phys. Lett., vol. 77, 2837, 2000.
• 12. Lee U. i inni: Visible photoluminescence from self-assembled InAs quantum dots embedded in AlAs layers. Appl. Phys. Lett., vol. 74, 1597, 1999.