Tytuł artykułu
Autorzy
Wybrane pełne teksty z tego czasopisma
Identyfikatory
Warianty tytułu
Konferencja
The Second School of Photonics in Information Processing ; (7.11-11.11.2000 ; Stare Jabłonki , Poland)
Języki publikacji
Abstrakty
The performance of P-on-n double-layer heterojunction (DLHJ) HgCdTe photodiodes at temperature of 77 K is presented. The effect of inherent and excess current mechanisms on quantum efficiency and R₀A product is analysed. The diodes with good R₀A operability, high quantum efficiency, and low 1/f noise have been demonstrated at cutoff wavelengths up to 14 mm. The experimental results show that proper surface passivation and low series/ contact resistance are major issues relating to fabrication of HgCdTe detectors with high performance.
Słowa kluczowe
Wydawca
Czasopismo
Rocznik
Tom
Strony
331--335
Opis fizyczny
Bibliogr. 9 poz.
Twórcy
autor
autor
- Institute of Applied Physics, Military University of Technology, 2 Kaliskiego Str., 00-908 Warsaw, Poland, rutek@wat.waw.pl
Bibliografia
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BWA2-0005-0226