PL EN


Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Tytuł artykułu

Epitaxy on GaN bulk crystals

Wybrane pełne teksty z tego czasopisma
Identyfikatory
Warianty tytułu
Konferencja
The Second International Conference on Solid State Crystals '2000 (ICSS'2000) ; (9-13.10.2000 ; Zakopane, Poland)
Języki publikacji
EN
Abstrakty
EN
The article shows the most important experimental results describing the properties of nitride layers on GaN single crystals. The layers were grown using matalorganic chemical vapour deposition (MOCVD). The growth was monitored by in-situ laser reflectometry. The layers contain very small dislocation density of about 10-10³ cm⁻² (the same as in the GaN substrates). Morphology and crystallographic quality was examined using atomic force microscopy and X-ray diffraction. The layers have exellent photoluminescent properties what has a direct impact on the optoelectronic device properties.
Twórcy
autor
autor
autor
autor
autor
autor
autor
autor
autor
autor
Bibliografia
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BWA2-0005-0081
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.