Epitaxy on GaN bulk crystals

• Autorzy: Leszczyński M. , Prystawko P. , Czernecki R. , Lehnert J. , Perlin P. , Wiśniewski P. , Skierbiszewski C. , Suski T. , Nowak G. , Karouta F. , Holst J. , Grzegory I. , Porowski S.
• Konferencja: The Second International Conference on Solid State Crystals '2000 (ICSS'2000) ; (9-13.10.2000 ; Zakopane, Poland)
• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

The article shows the most important experimental results describing the properties of nitride layers on GaN single crystals. The layers were grown using matalorganic chemical vapour deposition (MOCVD). The growth was monitored by in-situ laser reflectometry. The layers contain very small dislocation density of about 10-10³ cm⁻² (the same as in the GaN substrates). Morphology and crystallographic quality was examined using atomic force microscopy and X-ray diffraction. The layers have exellent photoluminescent properties what has a direct impact on the optoelectronic device properties.

Słowa kluczowe

EN

GaN; bulk crystals; homoepitaxy; photoluminescence; stimulated emission

• Wydawca: Stowarzyszenie Elektryków Polskich ; Polska Akademia Nauk ; Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego
• Czasopismo: Opto-Electronics Review
• Rocznik: 2001
• Tom: Vol. 9, No. 2
• Strony: 125--128
• Opis fizyczny: Bibliogr. 12 poz.

Twórcy

autor

Leszczyński M.

autor

Prystawko P.

autor

Czernecki R.

autor

Lehnert J.

autor

Perlin P.

autor

Wiśniewski P.

autor

Skierbiszewski C.

autor

Suski T.

autor

Nowak G.

autor

Karouta F.

autor

Holst J.

autor

Grzegory I.

autor

Porowski S.

• High Pressure Research Centre UNIPRESS, Sokołowska 29/37, 01-142 Warsaw, Poland,