PL EN


Preferencje help
Widoczny [Schowaj] Abstrakt
Liczba wyników
Tytuł artykułu

Strained layer SCH SQW InGaAs/GaAs lasers for 980-nm band

Wybrane pełne teksty z tego czasopisma
Identyfikatory
Warianty tytułu
Języki publikacji
EN
Abstrakty
EN
Strained layer InGaAsIGaAs SCH SQW (separate confinement heterostructure single quantum well) lasers were grown by a molecularbeam epitaxy (MBE). Highly reliable CW (continuous wave) 98O-nm. broad contact, pump lasers were fabricated in stripe geometry using Schottky isolation and ridge waveguide construction. Threshold current densities of the order of Jth =280 A/cm² (for the resonator length L = 700 um) and differential efficiency ƞ = 0.40 W/A (41%) from one mirror were obtained. The record wall-plug efficiency for AR/HR coated devices was equal to 54%. Theoretical estimations of above parameters. obtained by numerical modelling of devices were Jth = 210 A/cm² and ƞ = 0.47 W/A from one mirror, respectively. Degradation studies revealed that uncoated and AR/HR coated devices did not show any appreciable degradation after 3000 hr of CW operation at at 35°C heat sink temperature at the constant optical power (50 mW) conditions
Twórcy
autor
autor
autor
autor
autor
autor
autor
autor
autor
autor
autor
autor
autor
Bibliografia
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BWA2-0005-0049
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.