Blue fluorescence of LaGaO₃/SrTiO₃ mixed crystals

• Autorzy: Kaczmarek S. M. , Berkowski M. , Czuba M. , Aleksiyko R. , Fink-Finowicki J. , Olesińska W.

Warianty tytułu

PL

Niebieska fluorescencja mieszanych kryształów LaGaO₃/SrTiO₃

• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

A series of La₁₋xSrxGa₁₋xTixO₃ solid solution single crystals with x+0,0.04, 0.08 and 0.12 was grown by the Czochralski method and with x=0.01, by the floating zone method. The crystals were grown from the meltwith stoichiometric Ga₂O₃ amount at a growth rate ranging from 2.5 mm/h for pure LaGaO₃ to 1.2 mm/h for x=0.08. Larege, good quality single crystals were grown by the Czochralski method in the concentration range from 0 to 0.04. Thermal analysis proved that the temperature of the first order phase transition observed in pure LaGGaO₃ at 150°C falls to 76°C at x=0.04 and remains almost constant at higher x. The observed fluorescence of ²E-²T₂ transition of Ti³⁺ in the crystals shows two bands centered at about 420 and 447 nm coming from excitation at 314, 340 and 384 nm absorption bands. The fluorescence spectra are strongly polarized.

PL

Metodą Jana Czochralskiego otrzymano szereg kryształów La₁₋xSrGa₁₋xTixO₃ z x=0,04; 0,08 i 0,12 zaś metodą topnienia strefowego z x=0,01. Kryształy otrzymano z roztworu stechiometrycznego Ga₂O₃ z prędkością wzrostu zmieniającą się od 2,5 mm/h dla czystego LaGaO₃ do 1,2 mm/h dla x=0,08. Analiza termiczna wykazała, że temperatura przejścia fazowego pierwszego rzędu obserwowana w czystym LaGaO₃ dla 150°C spada do 76°C dla x=0,04 i pozostaje prawie stała dla większych x. Obserwowana fluorescencja dla przejścia ²T₂-²E jonów Ti³⁺ wykazuje obecność dwóch pasm z maksimum dla 420 i 447 nm, pochodzących od wzbudzeń 314, 340 i 384 nm. Widmo fluorescencji wykazuje silną polaryzację.

Słowa kluczowe

EN

fluorescence crystals; crystallography

PL

krystalografia; fluorescencja kryształów

• Wydawca: Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego
• Czasopismo: Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej
• Rocznik: 2001
• Tom: Vol. 50, nr 8
• Strony: 119--129
• Opis fizyczny: Bibliogr. 20 poz.

Twórcy

autor

Kaczmarek S. M.

autor

Berkowski M.

autor

Czuba M.

autor

Aleksiyko R.

autor

Fink-Finowicki J.

autor

Olesińska W.

• Military University of Technology, Institute of Optoelectronics, 2 S. Kaliskiego Str., 00-908 Warsaw, Poland