Tytuł artykułu
Autorzy
Wybrane pełne teksty z tego czasopisma
Identyfikatory
Warianty tytułu
Nonequilibrium, thermoelectrically cooled InAs₁₋xSbx photodiodes
Języki publikacji
Abstrakty
W pracy obliczono numerycznie parametry użytkowe fotodiod z InAs₁₋xSbx, w których wykorzystano zjawiska nierównowagowe zachodzące w otoczeniu skokowych złącz p-n i l-h. Pokazano, że stosując heterostrukturę można zwiększyć czułość napięciową fotodiody na skutek zwiększenia rezystancji dynamicznej. Z obliczeń wynika, że stosunkowo niewielka polaryzacja fotodiod w kierunku zaporowym powoduje znaczący wzrost ich rezystancji dynamicznej i w mniejszym stopniu zwiększenie wydajności kwantowej. Obliczenia przeprowadzono dla fotodiod na zakres widmowy 3 ÷ 5,5 μm pracujących w temperaturze 230 K.
In InAs₁₋xSbx photodiode parameters have been numerically determined. Nonequilibrium effects occurring in the vicinity of p-n and l-h abrupt junctions were included. It was found that using a heterostructure the voltage responsivity of the photodiode can be enhanced. The dynamical resistance increase was responsible for that. From the calculations it follows that the respective small polarization of the photodiode in the reverse direction causes a significant increase in the dynamical resistance but there was found the increase in the quantum yield to be smaller. The calculation was carried out for photodiodes designed for 3 to 5.5 μm spectral range at temperature 230 K.
Czasopismo
Rocznik
Tom
Strony
41--52
Opis fizyczny
Bibliogr. 16 poz.
Twórcy
autor
autor
autor
- Wojskowa Akademia Techniczna, Instytut Fizyki Technicznej, 00-908 Warszawa, ul. S. Kaliskiego 2
Bibliografia
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BWA2-0003-0011
JavaScript jest wyłączony w Twojej przeglądarce internetowej. Włącz go, a następnie odśwież stronę, aby móc w pełni z niej korzystać.