Controlling of the charge states in laser crystals

• Autorzy: Kaczmarek S. , Wojtowicz A. , Drozdowski W. , Koepke C. , Grinberg M. , Kisielewski J. , Jabłoński R. , Boulon G. , Zimmerer G.

Warianty tytułu

PL

Kontrolowanie stanów ładunkowych domieszek aktywnych w kryształach laserowych

• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

A basic spectroscopy (i.e. luminescence, excitation, absorption and emission kinetic measurements), excited states absorption measurements and additional absorption measurements after gamma, electron and proton irradiations of the YAG crystals activated by cerium and magnesium are presented. The excited state absorption spectrum of the YAG: Ce, Mg appears to be broader and shifted to the shorter wavelengths with respect to that of the YAG: Ce crystal. UV influence on intensity of ESR lines is discussed. It seems that UV irradiation changes Ce ions valency and in consequence, Ce(3+) concentration.

PL

Przedstawiono wyniki podstawowych badań spektroskopowych (luminescencja, wzbudzenie, absorbcja i kinetyka emisji), pomiarów ESA oraz wartości dodatkowej absorbcji po naświetleniach kryształów YAG domieszkowanych cerem i magnezem, elektronami, protonami i kwantami gamma. Widmo ESA kryształu YAG: Ce, Mg wydaje się być poszerzone i przesunięte w stronę fal krótszych względem odpowiedniego widma dla kryształu YAG: Ce. Po naświetleniu obu kryształów światłem UV z lampy rtęciowej, obserwuje się wzrost intensywności linii ESR, odpowiednio o 85% i 58%.

Słowa kluczowe

EN

charge states; irradiation; luminescence; emission kinetics; excited state absorption; electron spin resonance

PL

kryształy YAG; badania spektroskopowe; krystalografia

• Wydawca: Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego
• Czasopismo: Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej
• Rocznik: 1999
• Tom: Vol. 48, nr 2
• Strony: 105--116
• Opis fizyczny: Bibliogr. 17 poz.,rys., wykr.

Twórcy

autor

Kaczmarek S.

autor

Wojtowicz A.

autor

Drozdowski W.

autor

Koepke C.

autor

Grinberg M.

autor

Kisielewski J.

autor

Jabłoński R.

autor

Boulon G.

autor

Zimmerer G.

• Institute of Optoelectronics, Military University of Technology. 00-908 Warsaw, 2 S. Kaliski Str.