Schemat iteracyjny dla rozwiązywania równań transportu w wąskoprzerwowych strukturach półprzewodnikowych o silnych niejednorodnościach. Przypadek stacjonarny i jednowymiarowy

• Autorzy: Jóźwikowski K.

Warianty tytułu

EN

An iteration scheme for solution of transport equations in narrow-band semiconductor structures with strong inhomogenities. One dimensional steady state case

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy zaprezentowano schemat interacyjny dla rozwiązywania układu równań transportu w strukturach półprzewodnikowych o silnych niejednorodnościach. Linearyzację równań przeprowadzono metodą Newtona. Prezentowana metoda numeryczna może być zastosowana dla obliczania parametrów fotoelektrycznych przyrządów półprzewodnikowych wykorzystujących zjawiska nierównowagowe, zachodzące w miejscach silnych niejednorodności (w heterostrukturach, złączach p-n, złączach l-h i obszarach zmiany przerwy energetycznej). Dla jej zilustrowania zaprezentowano obliczenia przestrzennych rozkładów koncentracji nośników, potencjału elektrostatycznego, struktury pasmowej i charakterystyki prądowo-napięciowej w wybranych strukturach półprzewodnikowych z (InA)Sb. Obliczenia wykonano dla geometrii jednowymiarowej.

EN

It is presented an iteration scheme for solution of transport equations in narrow-band semiconductor structures with strong inhomogenities. The Newton method for linearization is applied. The numerical method can be applied for calculation of photoelectric parameters of semiconductor devices using nonequilibrium effects occurring in strong inhomogeneous regions (in heterostructures, p-n and l-h junctions and in the band-graded regions). The method is illustrated by presenting the results of spatial calculation of distribution of charge carries concentration, electrostatic potential, the band structure and current-voltage characteristics of the selected semiconductor structures with (InAs)Sb. The one dimensional case is considered.

Słowa kluczowe

PL

fizyka półprzewodników; heterostruktury; złącza p-n; detektory podczerwieni

• Wydawca: Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego
• Czasopismo: Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej
• Rocznik: 1998
• Tom: Vol. 47, nr 7-8
• Strony: 161--185
• Opis fizyczny: Bibliogr. 37 poz., wykr.

Twórcy

autor

Jóźwikowski K.

• Instytut Fizyki Technicznej, Wojskowa Akademia Techniczna, 00-908 Warszawa, ul. S. Kaliskiego 2