Growth and characterization of Cr:SrGdGa₃O₇ and Cr:SrLaGa₃O₇ single crystals

• Autorzy: Kaczmarek S. M. , Berkowski M. , Jabłoński R. , Pracka I. , Kwaśny M. , Świrkowicz M.

Warianty tytułu

PL

Wzrost i charakteryzacja monokryształów Cr:SrGdGa₃O₇ oraz Cr:SrLaGa₃O₇

• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

Growth and recharging processes of chromium ions in SrGdGa₃O₇ and SrLaGa₃O₇ single crystals incorporated during growth or doping by diffusion (only for SrLaGa₃O₇ crystal) were analyzed. The annealing at 1000°C in air and ionizing with gamma rays (doses from 10³ to 10⁵ Gy) and protons (10¹⁴ cm⁻² only for SrGdGa₃O₇ crystal) were performed. Different kinds of chromium ions valency, from two to four, were found. Electron spin resonance measurements in the temperature range 5-300 K with the use of Brucker spectrometer were also done.

PL

Analizowano proces wzrostu i procesy zmiany walecyjności jonów chromu w monokryształach SrGdGa₃O₇ i SrLaGa₃O₇. Chrom wprowadzono podczas procsu wzrostu oraz w wyniku procesu dyfuzji (tylko dla kryształu SrLaGa₃O₇). Przeprowadzono wygrzwanie w temperaturze 1000°C w powietrzu oraz naświetlania kwantami gamma (dawki 10³ - 10⁵ Gy) i protonami (10¹⁴ cm⁻² tylko dla kryształu SrGdGa₃O₇). Stwierdzono występowanie jonów chromu o walencyjności od 2 do 4. Przeprowadzono również pomiary elektronowego rezonansu spinowego w zakresie temperatur 5-300 K z wykorzystaniem spektrometru firmy

Słowa kluczowe

EN

crystal growth; additional absorption; gamma exposure; proton irradiation; electron spin resonance

• Wydawca: Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego
• Czasopismo: Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej
• Rocznik: 1998
• Tom: Vol. 47, nr 7-8
• Strony: 141--151
• Opis fizyczny: Bibliogr. 8 poz., fot., wykr.

Twórcy

autor

Kaczmarek S. M.

autor

Berkowski M.

autor

Jabłoński R.

autor

Pracka I.

autor

Kwaśny M.

autor

Świrkowicz M.

• Institute of Optoelectronics, Military University of Technology, 00-908 Warsaw, 2 S. Kaliski Str., Poland