Influence of γ-radiation on Dy³⁺ doped LiNbO₃ single crystals

• Autorzy: Kaczmarek S. M. , Łukasiewicz T. , Pracka I. , Jabłoński R. , Boulon G. , Kaczmarek B. , Warchoł S.

Warianty tytułu

PL

Wpływ promieniowania gamma na domieszkowane Dy³⁺ monokryształy LiNbO₃

• Języki publikacji: EN

Abstrakty

EN

Absorption measurements of the "as grown", gamma irradiated and thermal annealed LiNbO₃ crystals doped with Dy³⁺ ions for several activator concentrations were performed. It was stated that positions occupied by Dy³⁺ ions in LiNbO₃ lattice depend on the impurity concentration. May be large ion radius of Dy³⁺ ion makes, that it locates in interstitial position as Dy²⁺. Dy²⁺ ions after the exposure with gamma rays, as well as after the thermal annealing, change their valency and become Dy³⁺. The ESR measurements were performed for trivalent dysprosium. There were no changes in ESR lines before and after gamma exposure performed at room temperature, but after UV irradiation with an mercury lamp changes were very clar.

PL

Zbadano wpływ naświetlania domieszkowanych dysprozem kryształów LiNbO3 kwantami gamma (⁶⁰Co, 1.25 MeV) na ich charakterystyki optyczne. Przeprowadzono badania EPR przed i po naświetleniu kwantami y (dawka 10³-10⁶ Gy) oraz przed i po naświetlaniu UV z lampy rtęciowej. Centra barwne powstające po naswietlaniu kryształu niobianu litu wskazują na obecność w nich jonów Dy²⁺, które lokują się w silnie zdefektowanych obszarach kryształu, nie dając żadnych pasm w widmie absorpcji. Ich obecność staje się zauważalna dopiero po naświtlaniu kryształu kwantami gamma lub UV. Koncentracja jonów Dy²⁺ zależy istotnie od założonej koncentracji jonów Dy³⁺.

Słowa kluczowe

EN

additional absorption; gamma exposure; electron spin resonance

• Wydawca: Wojskowa Akademia Techniczna im. Jarosława Dąbrowskiego
• Czasopismo: Biuletyn Wojskowej Akademii Technicznej
• Rocznik: 1998
• Tom: Vol. 47, nr 7-8
• Strony: 101--112
• Opis fizyczny: Bibliogr. 13 poz., wykr.

Twórcy

autor

Kaczmarek S. M.

autor

Łukasiewicz T.

autor

Pracka I.

autor

Jabłoński R.

autor

Boulon G.

autor

Kaczmarek B.

autor

Warchoł S.

• Institute of Optoelectronics, Military University of Technology, 2 Kaliski Str., 00-908 Warsaw, Poland