Charakterystyki DC tranzystorów MOSFET SiC oraz Si pracujących w obszarze silnego przewodzenia, w szerokim zakresie temperatur

• Autorzy: Hapka A. , Janke W. , Kraśniewski J. , Oleksy M.

Warianty tytułu

EN

DC characteristics of SiC and Si MOSFET's in the wide range of ambient temperature

• Konferencja: Krajowa Konferencja Elektroniki. Sesja Specjalna InTechFun POIG.01.03.01-00-159/08 (11. 11-14.06. 2012 ; Darłówko Wschodnie, Polska)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W artykule przedstawiono wyniki pomiarów charakterystyk izotermicznych i nieizotermicznych tranzystorów MOSFET z węglika krzemu oraz krzemowych, o podobnych parametrach dopuszczalnych. Określono wpływ temperatury na rezystancję R DS(on) oraz przeanalizowano jej wpływ na charakterystyki nieizotermiczne tranzystorów.

EN

In the paper, the measurements of isothetmal and nonisothermal characteristics of silicon and silicon carbide power MOSFETs are presented. The influence of the temperature on the ON-state resistance and, as a consequence - on the nonisothermal characteristics has been specified.

Słowa kluczowe

PL

węglik krzemu; tranzystory MOSFET; charakterystyki DC

EN

silicon carbide; MOSFET transistor; DC characteristics

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2012
• Tom: Vol. 53, nr 9
• Strony: 98--101
• Opis fizyczny: Bibliogr. 16 poz., wykr.

Twórcy

autor

Hapka A.

autor

Janke W.

autor

Kraśniewski J.

autor

Oleksy M.

• Politechnika Koszalińska, Wydział Elektroniki i Informatyki

Bibliografia

• [1] Raynaud Ch., D. Tournier, H. Morel, D. Planson: Comparison of high voltage and high temperature performances of wide bandgap semiconductors for vertical power devices. Diamond & Related Materials 19 (2010) 1-6, doi:10.1016/j.diamond.2009.09.015.
• [2] Majumdar G., T. Oomori: Some Key Researches on SiC Device Technologies and Their Predicted Advantages. Power Semiconductors, Issue 6 2009, pp. 18-22.
• [3] Ozpineci B., L. M. Tolbert: Characterization of SiC Schottky Diodes at Different Temperatures. IEEE Power Electronic Letters, Vol. 1, No 2, June 2003, pp. 54-57.
• [4] Alexandrov P., J. H. Zhao, W. Wright, M. Pan, M. Weiner: In- ductively-loaded half-bridge inverter characterization of 4H-SiC merged PiN/Schottky diodes up to 230A and 250°C. Electron. Lett., vol. 37, no. 20, pp. 1261-1262, Sept. 27, 2001.
• [5] Neudeck P. G., D. J. Spry, L. Y. Chen, R. S. Okojie, G. M. Beheim, R. D. Meredtih, T. L. Ferrier: SiC Field Effect Transistor Technology Demonstrating Prolonged Stable Operation at 500°C. Material Science Forum, Vols. 556-557 (2007) pp. 831-834, Trans Tech Publications, 15 Sep 2007.
• [6] Sheng K.: Maximum junction temperatures of SiC power devices. IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 56, No.2, February 2009, pp. 337-342.
• [7] Pyo S., K. Sheng: Junction temperature dynamics of power MOSFET and SiC diode. Proceedings IPEMC 2009, pp. 269-271.
• [8] Wrzecionko B., J. Biela, J. W. Kolar: SiC power semiconductors in HEVs: influence of junction temperature on power density, chip utilization and efficiency, preprint of IECON 2009 Proceedings, pp. 3870-3876.
• [9] Janke W., A. Hapka: The thermally induced limitations of SiC SBDs operation conditions. Elsevier Microelectronics Journal, http://dx.doi.org/10.1016/j.mejo.2011.04.010
• [10] Hapka A., W. Janke, J. Kraśniewski: Influence of series resistance and cooling conditions on I-V characteristics of SiC Merged PiN Schottky diodes. Elsevier Materials Science and Engineering B, http://dx.doi.org/10.1016/j.mseb.2012.02.019
• [11] Hapka A., W. Janke: The influence of the ambient and junction temperature on the MPS critical parameters. Mat. THERMINIC 2011, 27-29 września 2011, Paryż Francja, str. 33-35, Elsevier Microelectronics Journal, przyjęty do druku.
• [12] Cree Power Products Documentation, www.cree.com
• [13] http://www.microsemi.com/datasheets/APT36N90BC3G_B.pdf
• [14] http://www.cissoid.com/high-temperature-electronics/ht-standard-products/jupiter-%11-high-temperature-high-voltage-silicon-carbide-(sic)-switch.html
• [15] Janke W.: Zjawiska termiczne w elementach i układach półprzewodnikowych. Wydawnictwa Naukowo-Techniczne, Warszawa 1992.
• [16] Baliga J.: Advanced power rectifier concepts. Springer 2009, Ch. 2: Schottky rectifiers.