Charakterystyki statyczne i parametry tranzystorów MOSFET mocy z krzemu i z węglika krzemu

• Autorzy: Górecki K. , Zarębski J.

Warianty tytułu

EN

DC characteristics and parameters of power MOSFETs fabricated from silicon and silicon carbide

• Konferencja: Krajowa Konferencja Elektroniki. Sesja Specjalna InTechFun POIG.01.03.01-00-159/08 (11. 11-14.06. 2012 ; Darłówko Wschodnie, Polska)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy przedstawiono charakterystyki statyczne wysokonapięciowych tranzystorów MOSFET mocy wykonanych z krzemu i z węglika krzemu. Przedyskutowano przebieg tych charakterystyk oraz przeanalizowano wpływ materiału, z którego wykonano tranzystor, na jego właściwości statyczne. Wskazano sytuacje, w których korzystniejsze jest stosowanie elementów wykonanych z węglika krzemu.

EN

In this paper, dc characteristics of high-voltage power MOSFETs fabricated from silicon and silicon carbide are presented. The influence of semiconductor materials on transistors properties are discussed. The situations, in which superiority of silicon carbide transistors is visible, are shown.

Słowa kluczowe

PL

tranzystory MOSFET; charakterystyka statyczna; węglik krzemu

EN

power MOSFETs; DC characteristics; silicon carbide

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2012
• Tom: Vol. 53, nr 9
• Strony: 94--97
• Opis fizyczny: Bibliogr. 10 poz., wykr.

Twórcy

autor

Górecki K.

autor

Zarębski J.

• Akademia Morska w Gdyni, Katedra Elketroniki Morskiej

Bibliografia

• [1] Zarębski J.: Tranzystory MOS mocy. Fundacja Rozwoju Akademii Morskiej w Gdyni, Gdynia 2007.
• [2] Rąbkowski J., M. Nowak, R. Barlik: Badania porównawcze właściwości wybranych krzemowych i węglikowo-krzemowych łączników mocy. Przegląd Elektrotechniczny, R. 84, Nr 7, 2008, s. 17-21.
• [3] Nowak M., J. Rąbkowski, R. Barlik: Charakteryzacja termoczułych parametrów wybranych krzemowych i węglikowo-krzemowych przyrządów mocy. Przegląd Elektrotechniczny, R. 84, Nr 7, 2008, s. 12-16.
• [4] Zarębski J., K. Górecki: Wpływ doboru elementów półprzewodnikowych na charakterystyki przetwornicy boost. Elektronika, Nr 10, 2011, s. 79-81.
• [5] Zarębski J., K. Górecki, K. Posobkiewicz: Wpływ zastosowania elementów półprzewodnikowych z węglika krzemu na charakterystyki przetwornicy buck. Przegląd Elektrotechniczny, R. 86, Nr 11a, 2010, s. 229-231.
• [6] Zarębski J., J. Dąbrowski: DC characteristics of SiC power Schottky diodes modelling in spice. Informacje MIDEM-Journal of Microelectronics, Electronic Components and Materials, Vol. 36, No. 3, 2006, pp. 123-126.
• [7] Zarębski J., D. Bisewski: SPICE-aided modelling of SiC MESFETs. Informacije MIDEM-Journal of Microelectronics, Electronic Components and Materials, Vol. 37, No. 2, 2007, pp. 57-60.
• [8] HiPerFET™ Power MOSFETs Q Class, karta katalogowa, IXYS, 2002.
• [9] CMF20120D-Silicon Carbide Power MOSFET 1200V 80 m?, karta katalogowa, Cree, 2010-2011.
• [10] Górecki K., J. Zarębski: Investigations of the Usefulness of Average Models for Calculations Characteristics of Buck and Boost Converters at the Steady State. International Journal of Numerical Modelling Electronic Networks, Devices and Fields Vol. 23, No. 1, 2010, pp. 20-31.