Powiadomienia systemowe
- Sesja wygasła!
Tytuł artykułu
Identyfikatory
Warianty tytułu
Dielectric oxides as insulators obtained by Atomic Layer Deposition method at low temperatures for electronic applications
Konferencja
Krajowa Konferencja Elektroniki. Sesja Specjalna InTechFun POIG.01.03.01-00-159/08 (11. 11-14.06. 2012 ; Darłówko Wschodnie, Polska)
Języki publikacji
Abstrakty
Tlenki o wysokiej stałej dielektrycznej (ang. high-k oxides) pełniące funkcję izolatora są powszechnie wykorzystywane w przyrządach półprzewodnikowych (procesorach, pamięciach masowych). Nasze badania zostały skoncentrowane na optymalizacji parametrów technologicznych wzrostu cienkich warstw dielektrycznych: dwutlenku hafnu (HfO₂), tlenku glinu (Al₂O₃) oraz dwutlenku cyrkonu (ZrO₂), a także ich warstw kompozytowych. Wysokiej jakości tlenki zostały otrzymane z wykorzystaniem metody osadzania warstw atomowych (ang. Atomie Layer Deposition, ALD) w niskiej temperaturze (60...240 C).
Oxides with high dielectric constant (called "high-k oxides") as insulators are commonly used in semiconductor manufacturing processes. Our research was focused on the optimization of technological growth parameters for thin dielectric films: hafnium dioxide (HfO₂), aluminum oxide (Al₂O₃) and zirconium oxide (ZrO₂), and their composite layers. High quality oxides were prepared using the Atomic Layer Deposition method Atomic Layer Deposition (ALD) at low temperature (60-240 C).
Wydawca
Rocznik
Tom
Strony
68--70
Opis fizyczny
Bibliogr. 15 poz., il., wykr.
Twórcy
autor
autor
autor
autor
autor
- Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk, Warszawa
Bibliografia
- [1] Wager J. F.: Science 300, 1245, 2003.
- [2] Wager J. F., D. A. Keszler, R. E. Presley: Transparent Electronics. Springer, New York 2008.
- [3] Masuda S., K. Kitamura, Y. Okumura, S. Miyatake, H. Tabata, T. Kawai: J. Appl. Phys. 93, 1624, 2003.
- [4] Hoffman R. L., B. J. Norris, J. F. Wager: Appl. Phys. Lett. 82, 733, 2003.
- [5] Nomura K., H. Ohta, K. Ueda, T. Kamiya, M. Hirano, H. Hosono: Science 300, 1269, 2003.
- [6] Carcia P. F., R. S. McLean, M. H. Reilly, G. Nunes Jr.: Appl. Phys. Lett. 82, 1117, 2003.
- [7] Fortunato E. et al.: Adv. Mater. 17 590, 2005.
- [8] Robertson J.: J. Vac. Sci. Technol. B 18 1785, 2000.
- [9] Moore G. E.: Electronics 38, 8, April 19, 1965.
- [10] Lo S. H., D. A. Buchanan, Y. Taur, W. Wang: IEEE Electr. Device L. 18, 209, 1997.
- [11] Suntola T., J. Antson: U.S Patent 4,058,430, 1977.
- [12] Robertson J.: Eur. Phys. J. Appl. Phys. 28 265-291, 2004.
- [13] Wilk G., R. M. Wallace, J. M. Anthony: J. Appl. Phys. 89, 5243, 2001.
- [14] Gierałtowska S., D. Sztenkiel, E. Guziewicz, M. Godlewski et al.: Acta Phys. Pol. A 119 (5), 692, 2011.
- [15] Gierałtowska S., L. Wachnicki, B. S. Witkowski, M. Godlewski, E. Guziewicz: Thin Solid Films. doi:10.1016/j.tsf.2011.10.151, 2011.
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BWA1-0050-0063