Badania strukturalne warstw węglowych w kontaktach omowych : porównanie widm ramanowskich obserwowanych od strony warstwy krzemkowej oraz podłoża z węglika krzemu

Borowicz, P.; Adamus, Z.; Ekielski, M.; Piotrowska, A.; Kuchuk, A.; Borysiewicz, M.; Kamińska, E.; Latek, M.

Artykuł - szczegóły

Tytuł artykułu

Badania strukturalne warstw węglowych w kontaktach omowych : porównanie widm ramanowskich obserwowanych od strony warstwy krzemkowej oraz podłoża z węglika krzemu

Autorzy

Borowicz P. , Adamus Z. , Ekielski M. , Piotrowska A. , Kuchuk A. , Borysiewicz M. , Kamińska E. , Latek M.

Identyfikatory

Warianty tytułu

Structural investigation of carbonic layers in ohmic contacts : comparison of Raman spectra measured with irradiation through the silicide layer and silicon carbide substrate

Konferencja

Krajowa Konferencja Elektroniki. Sesja Specjalna InTechFun POIG.01.03.01-00-159/08 (11. 11-14.06. 2012 ; Darłówko Wschodnie, Polska)

Języki publikacji

Abstrakty

Trzy próbki węglika krzemu o politypie 4H (4H-SiC) pokryto sekwencją warstw węgiel/nikiel/krzem/nikiel/krzem, a następnie poddano wygrzewaniu w celu wytworzenia kontaktów omowych. Analiza pasm ramanowskich wskazuje na różnice pomiędzy widzianą z obu stron strukturą warstwy węglowej pomimo, że grubość samej warstwy węglowej odpowiada 8 do 10 monowarstwom grafenowym.

The structure of carbonic layer in three samples composed of 4H polytype of silicon carbide covered with the following sequence of layers: carbon/ nickel/silicon/nickel/silicon was investigated with Raman spectroscopy. Different thermal treatment of the samples lead up to differences in the structure of carbonic layer. Raman measurements with excitation focused on two interfaces: silicon carbide/carbon and carbon/silicide show differences in the structure of carbonic film at both sides although its thickness corresponds to 8 + 10 graphene layers.

Słowa kluczowe

rozproszenie Ramana węglik krzemu węgiel kontakt omowy

Raman scattering silicon carbide carbon ohmic contact

Wydawca

Wydawnictwo SIGMA-NOT

Czasopismo

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

Rocznik

2012

Tom

Vol. 53, nr 9

Strony

31--34

Opis fizyczny

Bibliogr. 14 poz., wykr.

Twórcy

autor

Borowicz P.

autor

Adamus Z.

autor

Ekielski M.

autor

Piotrowska A.

autor

Kuchuk A.

autor

Borysiewicz M.

autor

Kamińska E.

autor

Latek M.

Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

Bibliografia

[1] Cooper J. A., A. Agarwal: Proceedings of the IEEE 90 (2002) pp 956-968.
[2] Clarke R. C., J. Palmour: Proceedings of the IEEE 90 (2002) pp 987-992.
[3] Matsunami H.: Microelectronic Engineering 83 (2006) pp. 2-4.
[4] Crofton J., P. G. McMullin, J. R. Williams, M. J. Bozack: Journal o Applied Physics 77 (1995) pp. 1317-1319.
[5] Rastegaeva M. G., A. N. Andreev, A. A. Petrov, A. I. Babanin, M. A Yagovkina, I. P. Nikitina: Materials Science and Engineering B 46 (1997) pp. 254-258.
[6] Lu W., W. C. Mitchel, C. A. Thornton, G. R. Landis, W. E. Collins: Journal of Electronic Materials 32 (2003) pp. 426-431.
[7] Lu W., W. C. Mitchel, G. R. Landis, T. R. Crenshaw, W. E. Collins: Journal Vacuum Science & Technology A 21 (2003) pp. 1510-1514.
[8] Norimatsu W., M. Kusunoki: Physical Review B 81 (2010) 161410(R).
[9] Borowicz P., A. Kuchuk, Z. Adamus, M. Borysiewicz, M. Ekielski, E. Kamińska, A. Piotrowska, M. Latek: Elektronika 52 (2011) pp. 103-106.
[10] Borowicz P., T. Gutt, T. Małachowski, M. Latek: Diamond and Related Materials 20 (2010) pp. 665-674.
[11] Wojdyr M.: Journal of Applied Crystalography 43 (2010) pp. 1126-1128.
[12] Ferrari A. C., J. Robertson: Physical Review B 61 (2000) pp. 14095-14107.
[13] Ferrari A. C., J. Robertson: Philosophical Transactions of the Royal Society London A 362 (2004) pp. 2477-2512.
[14] Barda B., P. Macháč, S. Cichoň, V. Machovič, M. Kudrnová, A. Michalcová, J. Siegel: Applied Surface Science 257 (2010) pp. 414-422.

Typ dokumentu

Bibliografia

Identyfikator YADDA

bwmeta1.element.baztech-article-BWA1-0050-0051