Tytuł artykułu
Identyfikatory
Warianty tytułu
Structural investigation of carbonic layers in ohmic contacts : comparison of Raman spectra measured with irradiation through the silicide layer and silicon carbide substrate
Konferencja
Krajowa Konferencja Elektroniki. Sesja Specjalna InTechFun POIG.01.03.01-00-159/08 (11. 11-14.06. 2012 ; Darłówko Wschodnie, Polska)
Języki publikacji
Abstrakty
Trzy próbki węglika krzemu o politypie 4H (4H-SiC) pokryto sekwencją warstw węgiel/nikiel/krzem/nikiel/krzem, a następnie poddano wygrzewaniu w celu wytworzenia kontaktów omowych. Analiza pasm ramanowskich wskazuje na różnice pomiędzy widzianą z obu stron strukturą warstwy węglowej pomimo, że grubość samej warstwy węglowej odpowiada 8 do 10 monowarstwom grafenowym.
The structure of carbonic layer in three samples composed of 4H polytype of silicon carbide covered with the following sequence of layers: carbon/ nickel/silicon/nickel/silicon was investigated with Raman spectroscopy. Different thermal treatment of the samples lead up to differences in the structure of carbonic layer. Raman measurements with excitation focused on two interfaces: silicon carbide/carbon and carbon/silicide show differences in the structure of carbonic film at both sides although its thickness corresponds to 8 + 10 graphene layers.
Wydawca
Rocznik
Tom
Strony
31--34
Opis fizyczny
Bibliogr. 14 poz., wykr.
Twórcy
autor
autor
autor
autor
autor
autor
autor
autor
- Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa
Bibliografia
- [1] Cooper J. A., A. Agarwal: Proceedings of the IEEE 90 (2002) pp 956-968.
- [2] Clarke R. C., J. Palmour: Proceedings of the IEEE 90 (2002) pp 987-992.
- [3] Matsunami H.: Microelectronic Engineering 83 (2006) pp. 2-4.
- [4] Crofton J., P. G. McMullin, J. R. Williams, M. J. Bozack: Journal o Applied Physics 77 (1995) pp. 1317-1319.
- [5] Rastegaeva M. G., A. N. Andreev, A. A. Petrov, A. I. Babanin, M. A Yagovkina, I. P. Nikitina: Materials Science and Engineering B 46 (1997) pp. 254-258.
- [6] Lu W., W. C. Mitchel, C. A. Thornton, G. R. Landis, W. E. Collins: Journal of Electronic Materials 32 (2003) pp. 426-431.
- [7] Lu W., W. C. Mitchel, G. R. Landis, T. R. Crenshaw, W. E. Collins: Journal Vacuum Science & Technology A 21 (2003) pp. 1510-1514.
- [8] Norimatsu W., M. Kusunoki: Physical Review B 81 (2010) 161410(R).
- [9] Borowicz P., A. Kuchuk, Z. Adamus, M. Borysiewicz, M. Ekielski, E. Kamińska, A. Piotrowska, M. Latek: Elektronika 52 (2011) pp. 103-106.
- [10] Borowicz P., T. Gutt, T. Małachowski, M. Latek: Diamond and Related Materials 20 (2010) pp. 665-674.
- [11] Wojdyr M.: Journal of Applied Crystalography 43 (2010) pp. 1126-1128.
- [12] Ferrari A. C., J. Robertson: Physical Review B 61 (2000) pp. 14095-14107.
- [13] Ferrari A. C., J. Robertson: Philosophical Transactions of the Royal Society London A 362 (2004) pp. 2477-2512.
- [14] Barda B., P. Macháč, S. Cichoň, V. Machovič, M. Kudrnová, A. Michalcová, J. Siegel: Applied Surface Science 257 (2010) pp. 414-422.
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BWA1-0050-0051