Zastosowanie funkcji Lamberta do wyznaczania parametrów złącza p-n

• Autorzy: Jung W.

Warianty tytułu

EN

Application of the Lambert function to determination of the p-n junction parameters

• Konferencja: Krajowa Konferencja Elektroniki. Sesja Specjalna InTechFun POIG.01.03.01-00-159/08 (11. 11-14.06. 2012 ; Darłówko Wschodnie, Polska)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W artykule przedstawiono metodę wyznaczania podstawowych parametrów złącza p-n, takich jak współczynnik idealności n, prąd nasycenia Is, rezystancja szeregowa Rs, oraz przewodność równoległa Gp. Podstawą metody jest dokładne analityczne rozwiązanie równania na przepływ prądu w złączu p-n z uwzględnieniem rezystancji szeregowej i przewodności równoległej za pomocą funkcji Lamberta. Praktyczne wykorzystanie metody pokazano na przykładzie diody krzemowej.

EN

This paper presents the method of determining the basic parameters of the p-n junction, such as the ideality factor n, the saturation currentI/s, series resistance Rs, and parallel conductance Gp. The basis of the method is accurate analytic solution of the equation for current flow in the p-n junction with regard to series resistance and parallel conductance using Lambert function. Practical use of the method is shown on the example of silicon diode.

Słowa kluczowe

PL

złącze p-n; współczynnik idealności; prąd nasycenia; rezystancja szeregowa; przewodność równoległa; funkcja Lamberta

EN

p-n junction; ideality factor; saturation current; series resistance; parallel conductance; Lambert function

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2012
• Tom: Vol. 53, nr 9
• Strony: 25--27
• Opis fizyczny: Bibliogr. 10 poz., wykr.

Twórcy

autor

Jung W.

• Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

Bibliografia

• [1] Sze S. M., K. K. Ng: Physics of Semiconductor Devices. Wiley Interscience, New York 2006.
• [2] Schroder D. K.: Semiconductor Material and Device Characterization. Wiley - IEEE Press, New York 2006.
• [3] Norde H.: A modified forward I-V plot for Schottky diodes with high series resistance. J. Appl. Phys. vol. 50, 5052-5053, 1979.
• [4] Cheung S. K., N. W. Cheung: Extraction of Schottky diode parameters from forward current - voltage characteristics. Appl. Phys. Lett. Vol. 49, pp. 85-87, 1986.
• [5] Mikhelashvili V., G. Eisenstein, V. Garber, S. Fainleib, G. Bahir, D. Ritter, M. Orenstein, A. Peer: On the extraction of linear and nonlinear physical parameters in nonideal diodes. J. Appl. Phys. vol. 85, pp. 6873-6883, 1999.
• [6] Ortiz-Conde A., F. J. Garcia Sanchez, J. J. Liou, J. Andrian, R. J. Laurence, P. E. Schmidt: A generalized model for a two-terminal device and its applications to parameter extraction. Solid-State Electron., vol. 38, pp. 265-266, 1995.
• [7] Ortiz-Code A., Yuansheng Ma, J. Thomson, E. Santos, J. J. Liou, F. J. Garcia Sánchez, M. Lei, J. Finol, P. Layman: Parameter Extraction Using Lateral and Vertical Optimization. Proc. 22nd International Conference on Microelectronics MIEL 2000, vol. I, Nis, Serbia, 14-17 May, pp. 165-168, 2000.
• [8] Ferhat-Hamida A., Z. Ouennoughi, A. Hoffmann, R. Weiss: Extraction of Schottky diode parameters including parallel conductance using a vertical optimization method. Solid-State Electron., vol. 46, pp. 615-619, 2002.
• [9] Banwell T. C., A. Jayakumar: Exact analytical solution for current flow through diode with series resistance. Electron. Lett., vol. 36, pp. 291-292, 2000.
• [10] Brent R. P.: Algorithms for Minimization without Derivatives. Dover, New York 2002.