Nanostemplowanie w zastosowaniu do wytwarzania struktur fotonicznych w GaN

• Autorzy: Ekielski M. , Sidor Z. , Juchniewicz M. , Płuska M. , Wzorek M. , Piotrowska A. , Kolkovsky V. , Żytkiewicz Z. , Gruszka M. , Kucharski R.

Warianty tytułu

EN

GaN photonic structures fabrication using nanoimprint technology

• Konferencja: Krajowa Konferencja Elektroniki. Sesja Specjalna InTechFun POIG.01.03.01-00-159/08 (11. 11-14.06. 2012 ; Darłówko Wschodnie, Polska)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy przedstawiono wyniki badań dotyczące wytwarzania priodycznych struktur w azotku galu przy pomocy techniki nanostemplowania oraz trawienia w plazmie o wysokiej gęstości. W eksperymencie posłużono się stemplami polimerowymi wykonanymi techniką nanostemplowania w trybie termicznym i UV. Matryce dla stempli wykonano przy użyciu techniki litografii laserowej oraz trawienia zogniskowaną wiązką jonową. Badania przeprowadzono na próbkach objętościowego azotku galu (Ammono) oraz warstwach epitaksjalnych na podłożach szafirowych (TopGaN) oraz krzemowym (111) (IF PAN). W eksperymencie zbadano wpływ warunków trawienia; przepływu BCI₃/CI₂, mocy RF oraz ICP, ciśnienia, jak i temperatury na jakość wzorów uzyskiwanych w GaN.

EN

The paper presents results of research on the fabrication of periodic structures in gallium nitride using nanoimprint technique and high density plasma etching. Polymer stamps made by nanoimprint technique using UV and thermal mode were used. The matrix for stamps were prepared with laser lithography technique and focused ion beam etching. The study was carried out on samples of bulk gallium nitride (Ammono) and epitaxial layers on sapphire substrates (TopGaN) and silicon substrates (111) (IF PAN). Influence of etching conditions: BCI₃/CI₂ flow, ICP and RF power, pressure and temperature on the quality of patterns obtained in GaN were investigated.

Słowa kluczowe

PL

nanostemplowanie; trawienie; plazma BCl3/CI2; GaN

EN

nanoimprint; dry etching; BCI3/CI2 plasma; GaN

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2012
• Tom: Vol. 53, nr 9
• Strony: 16--19
• Opis fizyczny: Bibliogr. 9 poz., il., wykr.

Twórcy

autor

Ekielski M.

autor

Sidor Z.

autor

Juchniewicz M.

autor

Płuska M.

autor

Wzorek M.

autor

Piotrowska A.

autor

Kolkovsky V.

autor

Żytkiewicz Z.

autor

Gruszka M.

autor

Kucharski R.

• Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

Bibliografia

• [1] Nakamura S., M. Senoh, N. Iwasa, S. Nagahama: J. Appl. Phys., Part 2 34, L797, 1995.
• [2] Nakamura S.: Science 281, p. 956, 1998.
• [3] Nakamura S. T. Mukai, M. Senoh: Appl. Phys. Lett. 64, 1687, 1994.
• [4] Kim H., Y. Sung, D. Kim, T. Kim, M. Dawson, G. Yeom: Materials Science and Engineering B, 82, 159-162, 2001.
• [5] Kim H., D. Lee, J. Lee, T. Kim, G. Yeom: Vacuum, 56, 45-49, 2000.
• [6] Kim H., G. Yeom, J. Lee, T. Kim: J. Vac. Sci. Techno. A, 17(4), 2214-2219, 1999.
• [7] Maeda T., J. Lee, R. Shul, J. Han, J. Hong, E. Lambers, S. Pearton, C. Abernathy, W. Hobson: Appl. Surface Science, 143, 174-182, 1999.
• [8] Hung S., Y. Su, S. Chang, S. Chen, L. Ji, T. Fang, L. Tu, M. Chen: Appl. Phys. A, 80, 1607-1610, 2005.
• [9] Hung S., Y. Su, S. Chang, S. Chen, T. Fang, L. Ji: Physica E, 28, 115-120, 2005.