Krystalizacja techniką PAMBE nanostruktur GaN na podłożach Si

• Autorzy: Żytkiewicz Z. R. , Sobańska M. , Kłosek K. , Borysiuk J. , Wierzbicka A. , Reszka A. , Tchutchulashvili G.

Warianty tytułu

EN

Growth of GaN nanostructures on Si substrates by plasma-assisted molecular beam epitaxy

• Konferencja: Krajowa Konferencja Elektroniki. Sesja Specjalna InTechFun POIG.01.03.01-00-159/08 (11. 11-14.06. 2012 ; Darłówko Wschodnie, Polska)
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy przedstawiono wyniki uzyskane podczas wzrostów warstw i nanostruktur GaN na podłożach Si (111) przy wykorzystaniu techniki epitaksji z wiązek molekularnych z plazmowym źródłem azotu. Omówiono wpływ warunków wzrostu na właściwości otrzymywanych struktur.

EN

We report results of our studies on plasma-assisted MBE growth and properties of GaN layers and nanostructures deposited on Si (111) substrates. The influence of growth conditions on the properties of GaN nanostructures is discussed.

Słowa kluczowe

PL

azotek galu; GaN; epitaksja z wiązek molekularnych; PAMBE; plazmowe źródło azotu; nanodruty

EN

gallium nitride; GaN; plasma assisted molecular beam epitaxy; PAMBE; nitrogen plasma source; nanowires

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2012
• Tom: Vol. 53, nr 9
• Strony: 14--15
• Opis fizyczny: Bibliogr. 2 poz., il.

Twórcy

autor

Żytkiewicz Z. R.

autor

Sobańska M.

autor

Kłosek K.

autor

Borysiuk J.

autor

Wierzbicka A.

autor

Reszka A.

autor

Tchutchulashvili G.

• Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk, Warszawa

Bibliografia

• [1] Le Louarn A., S. Venezian, F. Semond, J. Massies: AIN buffer layer growth for GaN epitaxy on (111) Si: Al or N first? J. Crystal Growth, vol. 311, pp. 3278-3284, 2009.
• [2] Northrup J. E., J. Neugebauer, R. M. Feenstra, A. R. Smith: Structure of GaN(0001): the laterally contracted Ga bilayer model. Phys. Rev. B, vol. 61, pp. 9932-9935, 2000.