Powiadomienia systemowe
- Sesja wygasła!
- Sesja wygasła!
Tytuł artykułu
Identyfikatory
Warianty tytułu
Growth of GaN nanostructures on Si substrates by plasma-assisted molecular beam epitaxy
Konferencja
Krajowa Konferencja Elektroniki. Sesja Specjalna InTechFun POIG.01.03.01-00-159/08 (11. 11-14.06. 2012 ; Darłówko Wschodnie, Polska)
Języki publikacji
Abstrakty
W pracy przedstawiono wyniki uzyskane podczas wzrostów warstw i nanostruktur GaN na podłożach Si (111) przy wykorzystaniu techniki epitaksji z wiązek molekularnych z plazmowym źródłem azotu. Omówiono wpływ warunków wzrostu na właściwości otrzymywanych struktur.
We report results of our studies on plasma-assisted MBE growth and properties of GaN layers and nanostructures deposited on Si (111) substrates. The influence of growth conditions on the properties of GaN nanostructures is discussed.
Wydawca
Rocznik
Tom
Strony
14--15
Opis fizyczny
Bibliogr. 2 poz., il.
Twórcy
autor
autor
autor
autor
autor
autor
autor
- Instytut Fizyki Polskiej Akademii Nauk, Warszawa
Bibliografia
- [1] Le Louarn A., S. Venezian, F. Semond, J. Massies: AIN buffer layer growth for GaN epitaxy on (111) Si: Al or N first? J. Crystal Growth, vol. 311, pp. 3278-3284, 2009.
- [2] Northrup J. E., J. Neugebauer, R. M. Feenstra, A. R. Smith: Structure of GaN(0001): the laterally contracted Ga bilayer model. Phys. Rev. B, vol. 61, pp. 9932-9935, 2000.
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BWA1-0050-0045