Tytuł artykułu
Identyfikatory
Warianty tytułu
Quantum Hall effect in epitaxial graphene grown in ITME
Języki publikacji
Abstrakty
Opracowano technologię i konstrukcję struktur z grafenu wyhodowanego na powierzchni węglika krzemu przy pomocy oryginalnej opatentowanej metody. Wykonano struktury do pomiaru kwantowego efektu Hall'a i przeprowadzono pomiary. Zaobserwowano anomalny kwantowy efekt Hall'a charakterystyczny dla grafenu składającego się z jednej warstwy węgla, w którym występuje transport nośników ładunku o zerowej masie.
We developed technology and construction of devices made of epitaxial graphene grown on silicon carbide using proprietary patented method. Hall bars were processed and characterized. We observed the QHE characteristic for graphene build of single carbon layer in which charge carriers are mass less fermions.
Słowa kluczowe
Wydawca
Rocznik
Tom
Strony
7--8
Opis fizyczny
Bibliogr. 4 poz., tab., wykr.
Twórcy
autor
autor
autor
autor
autor
autor
autor
- Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, Warszawa
Bibliografia
- [1] Strupiński. W. et al.: Graphene epitaxy by Chemical Vapor Deposition on SiC. Nano Lett., 11 (4), 1786 (2011).
- [2] Tzalenchuk A. et al.: Towards a quantum resistance standard based on epitaxial grapheme. Nature Nanotechnology, 5 (3), 186-189 (2010).
- [3] Novoselov K. S. et al.: Room-Temperature Quantum Hall Effect in Graphene. Science, 315 (5817), 1379 (2007).
- [4] Klitzing K. et al.: Determination of the Fine-Structure Constant Based on Quantized Hall Resistance. Phys. Rev. Lett. 45, 494 (1980).
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BWA1-0049-0020