Kwantowy efekt Hall'a w epitaksjalnym grafenie otrzymanym w ITME

• Autorzy: Dobrzański L. , Strupiński W. , Stankiewicz R. , Borysiewicz M. , Góra K. , Kozłowski A. , Stańczyk B.

Warianty tytułu

EN

Quantum Hall effect in epitaxial graphene grown in ITME

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Opracowano technologię i konstrukcję struktur z grafenu wyhodowanego na powierzchni węglika krzemu przy pomocy oryginalnej opatentowanej metody. Wykonano struktury do pomiaru kwantowego efektu Hall'a i przeprowadzono pomiary. Zaobserwowano anomalny kwantowy efekt Hall'a charakterystyczny dla grafenu składającego się z jednej warstwy węgla, w którym występuje transport nośników ładunku o zerowej masie.

EN

We developed technology and construction of devices made of epitaxial graphene grown on silicon carbide using proprietary patented method. Hall bars were processed and characterized. We observed the QHE characteristic for graphene build of single carbon layer in which charge carriers are mass less fermions.

Słowa kluczowe

PL

grafen; kwantowy efekt Halla

EN

graphene; quantum Hall effect

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2012
• Tom: Vol. 53, nr 4
• Strony: 7--8
• Opis fizyczny: Bibliogr. 4 poz., tab., wykr.

Twórcy

autor

Dobrzański L.

autor

Strupiński W.

autor

Stankiewicz R.

autor

Borysiewicz M.

autor

Góra K.

autor

Kozłowski A.

autor

Stańczyk B.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, Warszawa

Bibliografia

• [1] Strupiński. W. et al.: Graphene epitaxy by Chemical Vapor Deposition on SiC. Nano Lett., 11 (4), 1786 (2011).
• [2] Tzalenchuk A. et al.: Towards a quantum resistance standard based on epitaxial grapheme. Nature Nanotechnology, 5 (3), 186-189 (2010).
• [3] Novoselov K. S. et al.: Room-Temperature Quantum Hall Effect in Graphene. Science, 315 (5817), 1379 (2007).
• [4] Klitzing K. et al.: Determination of the Fine-Structure Constant Based on Quantized Hall Resistance. Phys. Rev. Lett. 45, 494 (1980).