Model naprężonego tranzystora MOS

• Autorzy: Gniazdowski Z.

Warianty tytułu

EN

Model of stressed MOSFET

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W artykule omówiono zjawisko piezokonduktywności w kanale tranzystora MOS. W szczególności zaproponowano model prądu tranzystora uwzględniający obecność naprężeń w kanale. Zbadano także rozkłady współczynników piezokonduktywności na płaszczyznach {100}, {110}, {111}. Na koniec przeanalizowano wpływ naprężenia na charakterystyki prądowe tranzystora MOS na poszczególnych płaszczyznach.

EN

In this paper, piezoconductivity in MOSFET channel is presented. Especially, model of drain current under stress is proposed. On planes {100}, {110} and {111} distribution of significant piezoconductance coefficient are analyzed. For assumed specific cases of stress state in the channel the final models of MOSFET for these specific planes are given.

Słowa kluczowe

PL

piezokonduktywność; naprężony krzem; model tranzystora MOS

EN

piezoconductivity; strained silicon; MOSFET model

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2011
• Tom: Vol. 52, nr 2
• Strony: 154--159
• Opis fizyczny: Bibliogr. 10 poz., wykr.

Twórcy

autor

Gniazdowski Z.

• Warszawska Wyższa Szkoła Informatyki, Warszawa

Bibliografia

• [1] Gniazdowski Z.: Krzemowe piezorezystywne czujniki wielkości mechanicznych. Teoretyczne i praktyczne aspekty rnodelowania i konstrukcji. Instytut Technnologii Elektronowej, Biblioteka Elektroniki, T. 30 ss. 1-197. Warszawa 2005.
• [2] Nye J. F.: Własności fizyczne kryształów w ujęciu tensorowym i macierzowym. PWN, Warszawa 1962.
• [3] Nowick A. S.: Crystal Properties via Group Theory. Cambridge University Press, 1995.
• [4] Smith C. S.: Piezoresistance Effect in Germanium and Silicon. Physical Review, vol. 94, no. 1, Apr. 1954, 42-19.
• [5] Canali C., Ferla G., Morten B., Taroni A.: Piezoresistivity effects in MOS-FET useful for pressure transducers. J. Phys. D: Appl. Phys., vol. 12, 1979.
• [6] Mikoshiba H.: Stress-sensitive properties of silicon-gate MOS devices. Solid-State Electronics. Vol. 24, pp. 221-232, 1981.
• [7] Colman D., Bate R. T., Mize J. P.: Mobility Anisotropy and Piezoresistance in Silicon p-Type Inversion Layers. Journal of Applied Physics, vol. 39. No. 4, 1968. pp. 1923-1931.
• [8] Chu M., Nishida T., Lv X., Mohta N., Thompson S. E.: Comparison between High-Field Piezoresistance Coefficients of Si Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors and Bulk Si under Uniaxial and Biaxial Stress. J. Appl. Phys. 103, 113704, 2008.
• [9] Thompson S. E., Sun G., Choi Y. S., Nishida T.: Uniaxial-Process-Induced Strained-Si: Extending the CMOS Roadmap. IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 53, no. 5, May 2006.
• [10] Bradley A. T, Jaeger R. C., Suhling J. C., O'Connor K. J.: Piezoresistive Characteristics of Short-Channel MOSFETs on (100) Silicon. IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. 48, no. 9, September 2001.