Modelowanie numeryczne w procesie projektowania urządzeń do wytwarzania materiałów półprzewodnikowych

• Autorzy: Wesołowski M. , Niedbała R. , Czaplicki A.

Warianty tytułu

EN

Numerical simulation during designing of devices for the semiconducting crystal growth

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Nowoczesne materiały półprzewodnikowe wytwarzane są przy wykorzystaniu różnorodnych metod monokrystalizacji, najczęściej z fazy ciekłej lub gazowej. Stopień złożoności procesów wytwórczych skutkuje w wielu przypadkach niedostateczną jakością uzyskiwanych monokryształów, co wynika między innymi z konstrukcji urządzeń przeznaczonych do monokrystalizacji, jak i niepoprawnie dobranych charakterystyk eksploatacyjnych. W pracy skupiono się na procesach monokrystalizacji węglika krzemu oraz arsenku galu, będących materiałami o szerokim spektrum zastosowań. Zaprezentowane zostały modele numeryczne umożliwiające prowadzenie szeroko rozumianej optymalizacji konstrukcji urządzeń oraz procesów wytwórczych pod kątem minimalizacji defektów wytwarzanych monokryształów.

EN

The article deals with some aspects of thermal field modeling in vertical gradient freeze and physical vapour transport technique used for crystals growing. The basics and quality of using new methods of crystals growing were discussed. A global two-dimensional model of multi - zone furnace was created for accurate calculations of heat transfer phenomenon in that cases. The numerical model and calculating procedure can be used in the designing process of new furnaces.

Słowa kluczowe

PL

monokrystalizacja; piec wielostrefowy; modelowanie pól temperatury

EN

crystal growing process; mulli-zone furnace; thermal feld modeling

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2011
• Tom: Vol. 52, nr 2
• Strony: 102--106
• Opis fizyczny: Bibliogr. 9 poz., il., wykr.

Twórcy

autor

Wesołowski M.

autor

Niedbała R.

autor

Czaplicki A.

• Politechnika Warszawska, Instytut Elektroenergetyki

Bibliografia

• [1] ANSYS - dokumentacja programu ANSYS v 10.0.
• [2] Carnahan B., Luther H. A., Wilkes J. O.: Applied Numerical Methods. John Wiley & Sons, New York.
• [3] Hamming R. W.: Numerical Methods for Scientists and Engineers. McGraw-Hill Book Comp. New York. USA.
• [4] Szargut J. i in.: Modelowanie numeryczne pól temperatury. Warszawa. WNT 1992.
• [5] Wiśniewski S.: Wymiana ciepła. Warszawa PWN 1979.
• [6] Diehl R. D. (editor): High-Power Diode Lasers: Fundamentals, Technology.. Applications With Contributions by Numerous Experts, Springer Verlag 2000.
• [7] Flade T.: Explosion of Demand for Large Size GaAs Substrates for Device Manufacturing - the Reaction of a Wafers Supplier. Compound Semiconductor Outlook, San Diego, CA February 26-28 2001.
• [8] Itani K., Sasabe K., Wachi M., Mizuniwa S., Fujisaki I.: Low-dislocation-density GaAs Wafers Grown by Vertical Gradient Freeze Process. Suitable for Mass Production of Semiconductor Lasers. Hitachi Cable Review, No. 20, August, 2001.
• [9] Weimann H., Amon J., Jung Th., Muller G.: Numerical simulation of the growth of 2" diameter GaAs crystals by the vertical gradient freeze technique. Crystal Growth, No. 180 (1997). Page 560-565.