Modelowanie struktur MOS z podwójną barierą potencjału

• Autorzy: Mazurak A. , Walczak J. , Majkusiak B.

Warianty tytułu

EN

Modeling the double-barrier MOS structures

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy przedstawiamy model struktury tunelowej MOS z podwójną barierą potencjału (DB) i wyniki symulacji jej charakterystyk prądowo- napięciowych. Przedstawiamy dyskusję wpływu rozpraszania nośników w obszarze studni potencjału na mechanizm tunelowego transportu przez strukturę.

EN

In the paper, a theoretical model of the double barrier (DB) MOS tunnel structure and results of simulations of its current-voltage characteristics are presented. An impact of scattering in the well region on the tunneling transport mechanism through the structure is discussed.

Słowa kluczowe

PL

MOS; tunelowanie; modelowanie

EN

MOS; tunneling; modeling

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2011
• Tom: Vol. 52, nr 2
• Strony: 40--43
• Opis fizyczny: Bibliogr. 4 poz., rys., wykr.

Twórcy

autor

Mazurak A.

autor

Walczak J.

autor

Majkusiak B.

• Politechnika Warszawska, Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki

Bibliografia

• [1] Majkusiak B.: Modeling the inelastic scattering effect on the resonant tunneling current. J. Computational Electronics, vol. 6, 2007, pp. 207-210.
• [2] Mazurak A., Majkusiak B., Grabowski J., Beck R. B.: Examination of physical structure of experimental double barrier MOS tunnel diode by comparison with theoretical models. 6th Workshop EUROSOI 2010 Workshop, Grenoble, Jan. 2010, Proceedings pp. 85-86.
• [3] Majkusiak B., Beck R. B., Mazurak A., Grabowski J.: Investigation of double barrier MOS tunnel diodes with PECVD silicon quantum well. 10th Electron Technology Conference ELTE 2010, Book of Abstracts, p. 11.
• [4] Grabowski J., Mazurak A., Pociński T., Kurzydlowski K. J., Majkusiak B., Beck R. B.: PECVD ultrathin amorphous silicon layer for novel structures: 10th Electron Technology Conference ELTE 2010, Book of Abstracts, p. 26.