Symulacja charakterystyk diod Schottky'ego z węglika krzemu z uwzględnieniem efektów termicznych

• Autorzy: Hapka A. , Janke W.

Warianty tytułu

EN

Simulation of the silicon carbide Schottky diodes DC characteristics, with the thermal effects taken into account

• Konferencja: Krajowa Konferencja Elektroniki. 8 ; 7-10.06.2010 ; Darłówko-Wschodnie, Polska
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy badane są charakterystyki DC diod Schottky'ego z węglika krzemu. Charakterystyki izotermiczne, obliczone w oparciu o model dla PSPICE dostarczany przez Cree porównano z charakterystykami zmierzonymi, zamieszczonymi w notach aplikacyjnych Cree. Uwzględniono zależność rezystancji szeregowej elementów od temperatury, niekompletny model PSPICE od producenta uzupełniono o odpowiednie współczynniki. W pracy zamieszczono również charakterystyki DC z uwzględnionym efektem samonagrzewania. Charakterystyki te otrzymano po zastosowaniu nowego modelu.

EN

In the paper, the DC characteristics of SiC Schottky diodes are considered. Isothermal characteristics, obtained with the use of PSPICE model, developed by Cree are compared with the real characteristics. measured by Cree. The dependence of the diode series resistance on the temperature is taken into account, and the adequate coefficients are placed into the incomplete Cree model for PSPICE. The DC characteristics with the self - heating included are also presented in this paper. Mentioned characteristics are obtained with the use of a new, compact model for PSPICE.

Słowa kluczowe

PL

charakterystyki DC; samonagrzewanie; rezystancja termiczna; model diody; węglik krzemu

EN

DC characteristics; self-heating; thermal resistance; diode model; silicon carbide

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2009
• Tom: Vol. 50, nr 10
• Strony: 92--95
• Opis fizyczny: Bibliogr. 5 poz., wykr.

Twórcy

autor

Hapka A.

autor

Janke W.

• Politechnika Koszalińska, Wydział Elektroniki i Informatyki

Bibliografia

• [1] http://www.allaboutcircuits.com/ Using the Spice circuit simulation program, Analysis option.
• [2] Andersen V. M.: Combined electrical and thermal parameter extraction for transistor model. Proceedings of ECCTD'97, Budapest, Hungary, August 30 - September 3, 1997, pp. 754-759.
• [3] Zarębski J., Dąbrowski J.: Simulations of nonisothermal D.C. characteristics of the SiC Schottky diode with the use of SPICE. 11th International Conference MIXDES 2004. Szczecin, Poland, 24 - 26 June 2004, pp. 441-444.
• [4] Oleksy M., Kraśniewski J.: Politechnika Koszalińska, Wydział Elektroniki i Informatyki, Katedra Systemów Elektronicznych, praca niepublikowana.
• [5] Hapka A., Janke W.: Simulation of electro-thermal transients, based on nonlinear thermal model. MICROTHERM 2007.