Trawienie plazmowe cienkich warstw Ti₃SiC₂

• Autorzy: Ekielski M. , Kruszka R. , Korwin-Mikke K. , Borysiewicz M. A. , Wzorek M.

Warianty tytułu

EN

Plasma etching of thin film Ti₃SiC₂

• Konferencja: Krajowa Konferencja Elektroniki. 8 ; 7-10.06.2010 ; Darłówko-Wschodnie, Polska
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Praca prezentuje wyniki dotyczące strukturyzacji cienkich warstw Ti₃ SiC₂ osadzanych w temperaturach: pokojowej. 100, 300, 600, 900°C, na podłożach: Si (100). AI₂O₃ (0001), GaN (0001). Do trawienia użyto plazmy CF₄/O₂. Zbadano wpływ mocy oraz dodatku tlenu na szybkość trawienia Ti₃ SiC₂.

EN

The paper reports on plasma etching of Ti₃SiC₂ thin films, deposited on Si (100), Al₂O₃ (0001), GaN (0001), at temperatures: ambient, 100, 300, 600, 900°C. C₄/O₂ plasma was used. Influence of power and oxygen addition on etching rate was investigated.

Słowa kluczowe

PL

fazy MAX; trawienie plazmowe

EN

MAX phases; plasma etching

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2009
• Tom: Vol. 50, nr 10
• Strony: 38--39
• Opis fizyczny: Bibliogr. 7 poz., il., wykr.

Twórcy

autor

Ekielski M.

autor

Kruszka R.

autor

Korwin-Mikke K.

autor

Borysiewicz M. A.

autor

Wzorek M.

• Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

Bibliografia

• [1] Barsoum M., W.: Prog Solid St Chem., 28, 2000, 201-281.
• [2] Fullowan T. R., Pearton S. J., Ren F., Mahoney G. E., Kostelak R. L.: Semicond. Sci. Technol., 7, 1992, 1489-1494.
• [3] d'Agostino R., Fracassi F.: Pure & Appl. Chem., 5, 1992, 703-707.
• [4] Jiang L., Plank N. O. V., Blauw M. A., Cheung R., van der Drift E.: J. Phys. D: Appl. Phys. 37, 2004, 1809-1814.
• [5] Lee H. Y., Kim D. W., Sung Y. J., Yeom G. Y.: Thin Solid Films, 475, 2005, 318-322.
• [6] Wang J. J., Lambers E. S., Pearton S. J., Ostling M., Zetterling C. M., Grow J. M., Ren F., Shul R. J.: Solid State Electronics, 12, 1998, 2283-2288.
• [7] Jiang L., Plank N. O. V., Cheung R., Brown R., Mount A.: Microelectronic Engineering, 67, 2003, 369-375.