Wpływ sprzężenia elektrotermicznego na szumy materiałów niejednorodnych

• Autorzy: Stadler A. W.

Warianty tytułu

EN

Low-frequency noise suppression by electrothermal feedback in inhomogeneous materials

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

W pracy przedstawiono wyniki badań rezystancyjnego szumu 1/f obserwowanego w rezystorach grubowarstowych. Badania szumu prowadzono w funkcji temperatury oraz napięcia polaryzacji. Zaobserwowano, że wzrost napięcia polaryzacji rezystora oraz temperatury powodują stłumienie szumu. W celu wytłumaczenia obserwowanych zjawisk zaproponowano model przewodnictwa skokowego uwzględniający sprzężenie pomiędzy lokalnym polem elektrycznym i temperaturą elektronów. We wnioskach wskazano związek pomiędzy wykładnikiem opisującym tłumienie szumu przez napięcie polaryzacji i wykładnikiem opisującym sprzężenie elektrotermiczne.

EN

1/f noise has been observed in laboratory prepared thick film resistors in temperature down to 0.3K. It has been revealed that bias voltage supresses noise magnitude. Hopping model of electrical transport taking into account both inhomogeneity of resistive material and electrothermal feedback has been proposed in order to explain above phenomenon. The relation of exponent describing noise magnitude suppression with bias voltage and electrothermal feedback exponent has been shown.

Słowa kluczowe

PL

sprzężenie elektrotermiczne; szum 1/f; szum rezystancyjny; rezystor grubowarstwowy; warstwa RuO2-szkło

EN

electro-thermal feedback; 1/f noise; resistance noise; thick film resistor

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2010
• Tom: Vol. 51, nr 1
• Strony: 97--100
• Opis fizyczny: Bibliogr. 8 poz., wykr.

Twórcy

autor

Stadler A. W.

• Politechnika Rzeszowska, Katedra Podstaw Elektroniki

Bibliografia

• [1] Willekers R. W., Mathu R, Meijer H. C., Postma H.: Thick film thermometers with predictable R. T characteristics and very low magnetoresistance below 1 K. Cryogenics 30, pp. 351-5, 1990; Bat'ko I., Flachbart K., Somora M., Vanicky D.: “Design of RuO2 -based thermometers for the millikelvin temperature range”, Cryogenics 35, pp. 105-8, 1995.
• [2] Watanabe M., Morishita M., Ootuka Y.: Magnetoresistance of RuO2 -based resistance thermometers below 0.3K. Cryogenics 41, pp. 143-8, 2001.
• [3] Soudee J., Chardin G., Giraud-Heraud Y., Pari P., Chapellier M.: Properties of NTD #23 Ge sensors and RuO2 films as thermal sensors for bolometers. J. Low Temp. Phys. 93, 319 (1993).
• [4] Kolek A., Ptak P., Zawiślak Z., Mleczko K., Stadler A. W.: Low temperature non-linear 1/f noise in RuO2 based thick film resistors. In Proc. 25th Int. Spring Sem. on Electronics Technol., pp.147-151, Prague, 2002.
• [5] Rammal R., Tannous C., Breton P., Tremblay A. M. S.: Flicker (1/f) noise in percolation networks: a new hierarchy of exponents. Phys. Rev. Lett. 54, pp. 1718-21, 1985.
• [6] Kolek A.: Szumy niskoczęstotliwościowe - metody badań eksperymentalnych. Oficyna Wydawnicza Politechniki Rzeszowskiej, 2006.
• [7] McCammon D., Galeazzi M., Liu D., Sanders W. T, Tan P., Boyce K. R., Brekosky R., Gygax J. D., Kelley R., Mott D. B., Porter F. S., Stahle C. K., Stahle C. M., Szymkowiak A. E.: 1/f noise and hot electron effects in variable range hopping conduction. Physica Status Solidi (b) 230, 197 (2002).
• [8] Shklovskii B. I., Efros A. L.: Electronic Properies of Doped Semiconductors. Springer-Verlag 1984.