Epitaksja warstw GaSb, InGaSb oraz InGaAsSb na podłożach GaSb metodą MOCVD

• Autorzy: Wesołowski M. , Strupiński W.

Warianty tytułu

EN

MOCVD epitaxy of GaSb, InGaSb and InGaAsSb layers on GaSb substrates

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Przedmiotem prezentowanych badań jest technologia epitaksji MOCVD na podłożach GaSb warstw GaSb oraz niektórych innych materiałów III-V zawierających antymon. Przeprowadzenie optymalizacji procesu epitaksjalnego oraz przygotowania podłoży pozwoliło pokonać podstawowe charakterystyczne problemy tej technologii. Zamieszczone dane analizy właściwości warstw: fotoluminescencji, rozpraszania rentgenowskiego, absorpcji, SIMS, mikroskopii optycznej oraz AFM wykazują dobrą jakość strukturalną, inne parametry, jak np. właściwości nośników, wymagają dalszej optymalizacji. Natrafiono na problemy w postaci dużej zawartości węgla i tlenu, trudności związane z obecnością tlenku na powierzchni podłoży oraz inne charakterystyczne problemy epitaksji MOCVD związków zawierających antymon.

EN

We present experimental results of MOCVD epitaxy of GaSb and some other III-V antimony-containing semiconductors on GaSb substrates. Through optimisation of epitaxy process and substrate preparation we resolved several specific technological issues. Observed characteristic relatively high contamination by oxygen and carbon can introduce difficulties in device applications. We have recognized and resolved problems related to the facility of oxide creation on the GaSb surface. We show characterisation results derived by photoluminescence, X-ray diffraction, absorption, SIMS, optical microscopy, AFM and other.

Słowa kluczowe

PL

epitaksja; MOCVD; antymonki; GaSb; InGaSb; InGaAsSb

EN

epitaxy; MOCVD; antimonides; GaSb; InGaSb; InGaAsSb

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2010
• Tom: Vol. 51, nr 1
• Strony: 77--79
• Opis fizyczny: Bibliogr. 5 poz., il., wykr.

Twórcy

autor

Wesołowski M.

autor

Strupiński W.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, Warszawa

Bibliografia

• [1] Dutta P. S., Bhat H. L., Vikram Kumar: J. Appl. Phys. 81 (9), 1 May 1997, pp. 5821-5870.
• [2] Dimroth F., Agert C., Bett A. W.: Journal of Crystal Growth, 248, 2003, pp. 265-273.
• [3] Aardvark A., Mason N. J., Walker P. J.: Prog. Crystal Growth and Charact., vol 35, no. 3-4, pp. 207-241.
• [4] Biefeld R. M.: Materials Science and Engineering, R 36, 2002, pp. 105-142.
• [5] Wang C. A.: Journal of Crystal Growth, 272, 2004, pp. 664-681.