Badanie warunków procesów trawienia i polerowania mechaniczno-chemicznego podłoża GaSb o orientacjach [100] i [111]

• Autorzy: Bańkowska A. , Mirowska A. , Pawłowska M.

Warianty tytułu

EN

Researching chemical etching conditions and mechanical-chemical polishing of [100] and [111] GaSb materials

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Zbadano wpływ roztworów trawiących i polerskich na stan powierzchni płytek GaSb o orientacjach [100] i [111]. Wykonano próby polerowania, które dały pozytywne rezultaty. Uzyskano powierzchnię, której chropowatość wynosiła mniej niż 5Å. Zostały także przeprowadzone testy osadzenia warstwy epitaksjalnej na podłoża, które potwierdziły poprawny dobór mieszanin polerskich i warunków polerowania.

EN

The influence of etching and polishing solutions on GaSb surface have been investigated. The applied polishing procedures gave positive resultes. Roughness of wafers surface was less than 5Å. The epitaxial test confirmed high quality of the GaSb substrates.

Słowa kluczowe

PL

GaSb; polerowanie mechaniczno-chemiczne; dyslokacja

EN

GaSb; mechanical-chemical polishing; dislocations

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2010
• Tom: Vol. 51, nr 1
• Strony: 50--52
• Opis fizyczny: Bibliogr. 4 poz., il.

Twórcy

autor

Bańkowska A.

autor

Mirowska A.

autor

Pawłowska M.

• Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych, Warszawa

Bibliografia

• [1] Dier O., Iin C., Grau M., Amann M. C.: Semicond. Sci. Technol. 19 (2004), 1250-1253.
• [2] Dutta P. S., Bhat H. L., Kumar V.: J. Appl. Phys. 81 (9), 1 May 1997.
• [3] Costa E. M., Dedavid B. A., Müller A.: Materials Science & Engineering, B 44 (1997) 208-212.
• [4] Gatos H. C., Lavine M. C., Warekois E. P.: J. Electrochem. Soc. 108, 645(1961).