Stanowisko do monokrystalizacji SiC

• Autorzy: Łobodziński W. , Orzyłowski M. , Rudolf Z. , Orzechowski Z. , Kozłowski J. , Wiechowski J.

Warianty tytułu

EN

System for SiC monocrystallization

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Na wstępie artykuł omawia przebieg procesu monokrystalizacji węglika krzemu. Następnie prezentuje budowę stanowiska do tego celu oraz jego najważniejsze bloki składowe. Układ grzejny jest wykonany jako dwusekcyjny pionowy rurowy rezystancyjny piec grafitowy, pracujący do temperatury 2300 C i zasilany ze źródeł prądu stałego o mocy 60 kW. Piec jest umieszczony w komorze próżniowej. Ze względu na wymagania procesu oraz zastosowanie grafitowych grzejników i izolacji konieczne jest odpompowywanie komory pieca do poziomu wysokiej próżni, napełnienie jej gazem obojętnym oraz regulacja zmian poziomu próżni podczas procesu. Z tego względu artykuł omawia konfigurację i działanie układu wytwarzającego odpowiednią atmosferę komory pieca. Ostatnia część artykułu jest poświęcona układowi komputerowego sterowania stanowiskiem.

EN

The initial part of the paper describes the process of silicon carbide monocrystals production. Next the paper presents the construction of the system for this purpose and its most important blocks. The heating system is realized as two-section vertical tubular graphite resistance furnace working up to 2300 C and supplied from 60 kW DC sources. The furnace is placed in the vacuum chamber. For the sake of process requirements and graphite heaters and insulation application it is necessary to pump out the air from the chamber to high-vacuum level, fill it up by inert gas and control of vacuum level changes during the process . For these reason the paper describes the configuration and operation of the system providing the proper atmosphere of the furnace chamber. The last part of the paper is devoted to computer control system.

Słowa kluczowe

PL

węglik krzemu; monokrystalizacja; piec wysokotemperaturowy

EN

silicon carbide; monocrystallization; high-temperature furnace

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2008
• Tom: Vol. 49, nr 12
• Strony: 70--74
• Opis fizyczny: Bibliogr. 7 poz., rys.

Twórcy

autor

Łobodziński W.

autor

Orzyłowski M.

autor

Rudolf Z.

autor

Orzechowski Z.

autor

Kozłowski J.

autor

Wiechowski J.

• Instytut Tele- i Radiotechniczny, Warszawa

Bibliografia

• [1] Kościewicz K., Tymicki E., Grasza K.: SiC - Materiał dla mikroelektroniki. Elektronika, Wydawnictwo Sigma-NOT, nr 9/2006, ss. 22-27, ISSN 0033-2089, 2006.
• [2] Rozmowa z dr Zygmuntem Łuczyńskim, dyrektorem Instytutu Technologii Materiałów Elektronicznych, http://www.elektronikab2b.pl/content/view/1768/lang.pl/.
• [3] Orzyłowski M., Rudolf Z.: Model Based Autodiagnostics of Semiconductor Compounds Synthesis and Polycrystallization Process, 10th IMEKO TC7 International Symposium “Advances of Measurement Science”, June 30-July 2, 2004, Saint-Petersburg, Russia, pp. 424-427.
• [4] Orzyłowski M., Łobodziński W.: Urządzenia cieplno-chemiczne do wytwarzania nowoczesnych związków półprzewodnikowych. Elektronika, Wydawnictwo Sigma-NOT, nr 8/2007, str. 77-83, ISSN 0033-2089.
• [5] Tymicki E. A., Grasza K., Diduszko R., Bożek R., Gała M.: Initial Stage of SiC Crystal Growth by PVT Method. The Fifth International Conference on Solid State Crystals and Eighth Polish Conference on Crystal Growth, 20-24 May 2007, Zakopane.
• [6] Chen Q., Zhang H., Prasad V., Balkas C. M., Yushin N. K., Wang S.: Kinetics and modeling of sublimation growth of silicon carbide bulk crystal. Journal of Crystal Growth no. 224, 2001, Elsevier, pp. 101-110.
• [7] Orzyłowski M., Łobodziński W.: System dwupętlowej programowej regulacji temperatury stanowiska do monokrystalizacji SiC. Elektronika, SEP, nr 3/2008, ss. 95-99, ISBN 0033-2089.