Hybrydowe warstwy rezystywne NiCr + NiP

• Autorzy: Kowalik P. , Pruszowski Z.

Warianty tytułu

EN

New generation of metallized resistors including hybrid layers NiCr-NiP

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Badano własności elektryczne warstw wytworzonych przy pomocy techniki rozpylania katodowego oraz chemicznej metalizacji. Otrzymano rezystory wysokostabilne o Temperaturowym Współczynniku Rezystancji (TWR) poniżej 25 ppm/K, pracujące bez zakłóceń przy podwójnym obciążeniu znamionowym.

EN

The elaboration presents technology enabling manufacture of new generation of metallized resistors including hybrid NiCr (deposited by cathode sputtering) and NiP (deposited by chemical reduction). The NiCr-NiP resistive layers obtained on such a way are very promising in utilization of failure vacuum metallization. It arises from the fact that resistive layer deposited by chemical reaction is ten times thicker than NiCr and effectively eliminate dispersion of resistance and TCR values of NiCr layer. The additional advantage of this method is elimination of expensive palladium salts applied in activation process of ceramics metallized chemically thanks to autocatalytic character of nickel and it’s allays in this reaction. This work in results obtained method of deposition of NiCr layers on metallized substrates, established minimal contents of nickel in alloy at which the metallic NiCr layer lose the autocatalytic properties. During the metallization processes manufactured the resistors with very good parameters such as TCR, stability and resistance to stable and variable influence of climatic factors. We expect that it will be possible to introduce this technology to industrial practice after optimization of all steps of technological process.

Słowa kluczowe

EN

metallized resistors; hybrid layer; NiCr; Ni-P; cathode sputtering

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2002
• Tom: Vol. 43, nr 3
• Strony: 23--25
• Opis fizyczny: Bibliogr. 3 poz., tab., wykr.

Twórcy

autor

Kowalik P.

• Instytut Elektroniki Politechniki Śląskiej

autor

Pruszowski Z.

• Instytut Elektroniki Politechniki Śląskiej

Bibliografia

• 1. Patent PRL 109675, 1979r.
• 2. Szasz A.: Phys. Statut Solidi (6), 140, 1981 r.
• 3. Norma PN-86/5-80051, arkusze 01-04.