Urządzenie do epitaksjalnego wzrostu metodą WIBE warstw azotków metali III grupy układu okresowwego pierwiastków

• Autorzy: Marks J. , Cyrański R. , Pastuszka B. , Kaczorek K. , Kaufman E.

Warianty tytułu

EN

System for MBE growth of the Ga, Al and In nitrides

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Urządzenie MBE03 przeznaczone jest do wytwarzania warstw azotków takich metali jak: aluminium, gal i ind. Jako źródło azotu zastosowano amoniak. Istnieje także możliwość domieszkowania wytwarzanych warstw magnezem (domieszka typu p) i krzemem (domieszką typu n).

EN

The homemade MBE03 system for III group nitrides growth by molecular beam epitaxy is described. The MBE03 system is used for gallium, indium and aluminium nitrides growth with ammonia as the nitrogen gas source. The growing layer can be doped by magnesium (type p) and silicon (type n).

Słowa kluczowe

PL

technika próżni; aparatura; epitaksja z wiązek molekularnych; MBE

EN

vacuum technology; vacuum system; MBE

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2002
• Tom: Vol. 43, nr 12
• Strony: 46--48
• Opis fizyczny: rys., wykr.

Twórcy

autor

Marks J.

• Przemysłowy Instytut Elektroniki (ITP-OBREP), Warszawa

autor

Cyrański R.

• Przemysłowy Instytut Elektroniki (ITP-OBREP), Warszawa

autor

Pastuszka B.

• Przemysłowy Instytut Elektroniki (ITP-OBREP), Warszawa

autor

Kaczorek K.

• Przemysłowy Instytut Elektroniki (ITP-OBREP), Warszawa

autor

Kaufman E.

• Przemysłowy Instytut Elektroniki (ITP-OBREP), Warszawa