Tytuł artykułu
Identyfikatory
Warianty tytułu
Quality system for measurement electro-physical parameter of silicon epitaxial and diffusion layers
Języki publikacji
Abstrakty
System stanowi zbiór niezależnych stanowisk badawczych do pomiarów charakterystyk C-V i C-t oraz rezystancji rozpływu (spreading resistance). Stanowiska pracują w sieci informatyczno-pomiarowej zbudowanej z użyciem koncentratora HUB.
In paper, a quality measurement system for semiconductor wafers also epitaxial and diffusion layers, is presented. The system consist several investigation stands for measurement C-V and C-t characteristic as well spreading resistance. The stands works in the measurement network basis on HUB concentrator.
Wydawca
Rocznik
Tom
Strony
12--15
Opis fizyczny
Bibliogr. 2 poz., rys., tab., wykr.
Twórcy
autor
- Przemysłowy Instytut Elektroniki, Warszawa
autor
- Przemysłowy Instytut Elektroniki, Warszawa
autor
- Przemysłowy Instytut Elektroniki, Warszawa
autor
- Przemysłowy Instytut Elektroniki, Warszawa
autor
- Przemysłowy Instytut Elektroniki, Warszawa
autor
- Przemysłowy Instytut Elektroniki, Warszawa
autor
- Przemysłowy Instytut Elektroniki, Warszawa
Bibliografia
- 1. Machalica P., Brzozowski A.: ,,System do pomiarów i analizy rezystancji rozpływu; testy porównawcze" VI Konferencja Naukowa Technologia Elektronowa ELTE'94, Krynica 1994,
- 2. Norma ASTM F 1392: ,,Standard Test Method for Determining Net Carrier Density Profiles in Silicon Waters by Capacitance-Voltage Measurements With a MercuryProbe"
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BWA1-0018-0017