System kontroli parametrów elektrycznych krzemowych warstw epitaksjalnych i dyfuzyjnych

• Autorzy: Machalica P. , Zając J. , Mocny W. , Młynarski B. , Wójcik J. , Zaremba G. , Niemiec M.

Warianty tytułu

EN

Quality system for measurement electro-physical parameter of silicon epitaxial and diffusion layers

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

System stanowi zbiór niezależnych stanowisk badawczych do pomiarów charakterystyk C-V i C-t oraz rezystancji rozpływu (spreading resistance). Stanowiska pracują w sieci informatyczno-pomiarowej zbudowanej z użyciem koncentratora HUB.

EN

In paper, a quality measurement system for semiconductor wafers also epitaxial and diffusion layers, is presented. The system consist several investigation stands for measurement C-V and C-t characteristic as well spreading resistance. The stands works in the measurement network basis on HUB concentrator.

Słowa kluczowe

PL

warstwy epitaksjalne i dyfuzyjne; metoda pomiaru CV; metoda pomiaru rezystancji rozpływu; koncentracja nośników w warstwie; rezystywność warstwy

EN

epitaxial layers; diffusion layers; CV method; spreadind resistance method; currier concentration profile; resistivity profile

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2002
• Tom: Vol. 43, nr 12
• Strony: 12--15
• Opis fizyczny: Bibliogr. 2 poz., rys., tab., wykr.

Twórcy

autor

Machalica P.

autor

Zając J.

autor

Mocny W.

autor

Młynarski B.

autor

Wójcik J.

autor

Zaremba G.

autor

Niemiec M.

• Przemysłowy Instytut Elektroniki, Warszawa,

Bibliografia

• 1. Machalica P., Brzozowski A.: ,,System do pomiarów i analizy rezystancji rozpływu; testy porównawcze" VI Konferencja Naukowa Technologia Elektronowa ELTE'94, Krynica 1994,
• 2. Norma ASTM F 1392: ,,Standard Test Method for Determining Net Carrier Density Profiles in Silicon Waters by Capacitance-Voltage Measurements With a MercuryProbe"