Analiza przełączania termicznego w układach optyki zintegrowanej wykonanych na podłożu krzemu

• Autorzy: Biwojno K. , Sujecki S. , Sewell P. , Benson T. M.

Warianty tytułu

EN

Numerical analysis of thermal switching in silicon based integrated optical devices

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Przeprowadzono analizę numeryczną przełącznika cyfrowego sterowanego termicznie, wykonanego w technologii SOI (silicon on insulator). Temperatura wewnątrz takiego urządzenia regulowana jest przez moc dostarczaną do grzejnika usytuowanego na szczycie żebra światłowodu. Do analizy zastosowano metodę różnic skończonych. Obliczono rozkład temperatury i pola elektromagnetycznego w światłowodzie oraz wyznaczono charakterystyki modowe dla modu podstawowego. Przeanalizowano wpływ temperatury na fazę sygnału świetlnego prowadzonego wzdłuż światłowodu.

EN

Optical switches are key components in flexible fibre systems. Thermo-optic switches can potentially provide low transmission loss, high stability, low power consumption and very large scale integration. In this paper finite difference based thermal and optical waveguide mode simulation are used to investigate the properties of thermo-optic (TO) switches based on silicon-on-insulator, rib waveguides.

Słowa kluczowe

PL

przełącznik termooptyczny; klucz optyczny; światłowód żebrowy; technologia SOI

EN

thermo-optic switch; silicon-on-insulator; rib waveguide

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2002
• Tom: Vol. 43, nr 10
• Strony: 43--44
• Opis fizyczny: Bibliogr. 11 poz., rys., wykr.

Twórcy

autor

Biwojno K.

autor

Sujecki S.

autor

Sewell P.

autor

Benson T. M.

• Politechnika Świętokrzyska w Kielcach, Wydział Elektrotechniki Automatyki i Informatyki,

Bibliografia

• [1] J. Schmidtchen i in., „Low-loss singlemode optica waveguides with large cross section in silicon on insulator" Electronics Letters, 27, 1991, s. 1486-1487.
• [2] A. G. Rickman, G. T. Reed, „Silicon-on-insulator optical waveguides: loss, mode characteristics, bends and y-junctions" IEEE Proceedings J., 141, no 6, 1994, s. 391-393.
• [3] P. D. Trinh, S. Yegnanaraynan, B. Jalali, „Integrated optical directional couplers in silicon-on-insulator", Electronics Letters, 31, no. 24, 1995, s. 1997.
• [4] P. D. Trinh, S. Yegnanaraynan, B. Jalali, „Integrated optical star coupler in silicon-on-insulator", IEEE Photonics Technology Letters, 8, no. 6, 1996, s. 794.
• [5] P. D. Trinh i in., „Silicon-on-lnsulator (SOI) Phased-Array Wavelength Multi/Demultiplexer with Extremely Low Polarization Sensitivity", IEEE Photonics Technology Letters, 9, no. 7, 1997, s. 940-942.
• [6] C. Z. Zhao i in., „Silicon-on-insulator Mach-Zehnder waveguide interferometers operating at 1.3" Applied Physics Letters, 67, no 17, 1995, s. 2448-2449.
• [7] R. A. Soref, B. R. Bennett, „Electrooptical effects in silicon", Journal of Quantum Electronics, QE-23, no. 1, 1987, s. 123-126.
• [8] S. V. Patankar, Numerical heat transfer and fluid flow, Hemisphere Publishing Corporation, New York, 1980
• [9] Stern M. S. „Semivectorial polarised finite difference method for optical waveguide with arbitrary index profiles", IEE Proceedings J. 135, no. 1, 1988, s. 57-63.
• [10] M. S. Stern, „Semivectorial polarised H field solutions for dielectric waveguides with arbitrary index profiles", IEE Proceedings J, 135, no. 5, 1988, s. 333-338.
• [11] T. M. Benson, P. C. Kendall, Variational technique including effective index and weighted index methods, PIER 10, 1995.