Tranzystory mikrofalowe : technologia, parametry i zastosowania

• Autorzy: Wojtasiak W.

Warianty tytułu

EN

Microwave transistors : technology, parameters and applications

• Konferencja: Krajowa Konferencja Elektroniki. 1 KKE ; 10-12.06.2002 ; Dźwirzyno, Polska
• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Przedstawiono przegląd najnowszych osiągnięć technologii półprzewodników w zakresie produkcji tranzystorów mikrofalowych. Analiza parametrów i możliwości zastosowań tranzystorów mikrofalowych została oparta na własnych badaniach eksperymentalnych realizowanych w ramach projektu KBN nr 7 T11B 044 20. Zaprojektowano i wykonano szereg takich układów jak: generatory VCO, syntezery PLL/DDS, wzmacniacze nadawcze dużej mocy oraz odbiorcze - niskoszumne (LNA). W projektach wykorzystano opracowane modele tranzystorów, które uwzględniają efekty temperaturowe symulowane metodą FDTD-3D.

EN

In this paper, the overview of microwave transistors technology performances is presented. The parameters and properties of the chosen transistors based on self-investigations and designs were analysed. For this purpose, a lot of circuits such as: VCOs, high power amplifiers and LNAs were designed. The self-invented temperature models based on 2D and 3D FDTD method for thermal problems were applied.

Słowa kluczowe

PL

mikrofale; tranzystory mikrofalowe; mikrofalowy generator VCO; syntezer PLL/DDS; mikrofalowy wzmacniacz mocy; LNA; mikrofalowy wzmacniacz niskoszumny

EN

microwave transistors; HBT; MESFET; PHEMT; LDMOS; VCO; High Power Amplifier; low noise amplifier; LNA

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2002
• Tom: Vol. 43, nr 7/8
• Strony: 32--34
• Opis fizyczny: Bibliogr. 13 poz., rys., wykr.

Twórcy

autor

Wojtasiak W.

• Instytut Radiotechniki WEiTI, Politechnika Warszawska,

Bibliografia

• 1. Łukasiak L.: Modele i elektryczne metody charakteryzacji przyrządów MOS I MOS SOI. Prace Naukowe PW, Elektronika z. 133, Warszawa 2002.
• 2. Kopp B. A., Ouellette E. A., Billups A. J.: Thermal Design Considerations for Wide Bandgap Transistors, Microwave Journal vol. 43, no. 6, June 2000, pp. 110-118.
• 3. Wojtasiak W., Pryczek A.: Miniaturowy nadajnik systemu IFF, Materiały XI konferencji naukowej ,,Sterowanie w radiolokacji i obiektach latających”, tom I, str. 249-257, Jelenia Góra, 14-16 czerwca 2000 r.
• 4. Wojtasiak W., Gryglewski D., Sedek E.: The 100W Class a Power Amplifier for L-Band T/R Module - XIII Int. Microwave Conf. on Microwave & Radar, MIKON-2000, Wrocław, 22-24.05. 2000, pp. 675-677.
• 5. Philips Semiconductors: Design Benefits of Silicon MMIC's. Microwave Journal, vol. 42, no. 6, June 1999, pp. 94-100.
• 6. Katalog tranzystorów firmy Siemens/Infineon 1999.
• 7. Katalog tranzystorów firmy NEC - storna internetowa: www.cel.com
• 8. Barlas D., Henderson G, Zhang X.: SiGe Transistor Technology for RF Applications. Microwave Journal, vol. 42, no. 6, June 1999, pp. 22-39.
• 9. Wojtasiak W., Gryglewski D., Morawski T., Sędek E.: A 300W S-Band Solid-State Transmitter, XIV Int. Microwave Conf. on Microwave & Radar, MIKON-2002, Gdańsk, 20-22.05. 2002.
• 10. Molle H., O'Shea S., Wilson P., Vennema K.: High Power RF LDMOS: Transistors for Avionics Applications, Microwave Journal, vol. 43, no. 6 June 2000, pp. 120-126.
• 11. Michnowski R., Wojtasiak W.: Thermal effects in LDMOS transistor, XIV Int. Microwave Conf. on Microwave & Radar, MIKON-2002, Gdańsk, 20-22.05. 2002.
• 12. J. L. B. Walker editor.: High-Power GaAs FET Amplifier, Artech House, Inc. 1993.
• 13. Wojtasiak W., Gryglewski D., Morawski T., Sędek E.: Designing of T/R Module for Active Phased Array Radar, XIV Int. Microwave Conf. on Microwave & Radar, MIKON-2002, Gdańsk, 20-22.05. 2002.