Sterowanie bipolarnych, wysokonapięciowych tranzystorów mocy

• Autorzy: Kania J.

Warianty tytułu

EN

Driving of high voltage, high power bipolar transistors

• Języki publikacji: PL

Abstrakty

PL

Właściwości bipolarnych tranzystorów mocy odbiegają znacznie od wymagań na idealny element kluczujący, co jest źródłem znacznych strat mocy zarówno w okresie przewodzenia jak i wyłączania tranzystora. Straty mocy, zwłaszcza w okresie wyłączania, można znacznie zmniejszyć przez dobór kształtu i wartości prądu bazy zarówno w okresie przewodzenia jak i zatkania tranzystora.

EN

Parameters of high-power, high-voltage bipolar switching transistors and ideal electronics switches are different at many points. During conducting and switching times of transistors occurs some amount of dissipation. There are at least two ways to reduce dissipation of bipolar power transistors. A very effective technique is to optimize base driving parameters and to apply a new generation of switching NPN transistors with a relatively wide base width.

Słowa kluczowe

PL

tranzystor bipolarny; element kluczący

EN

bipolar transistor; NPN transistors

• Wydawca: Wydawnictwo SIGMA-NOT
• Czasopismo: Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania
• Rocznik: 2000
• Tom: Vol. 41, nr 12
• Strony: 19--23
• Opis fizyczny: Bibliogr. 8 poz., rys., tab., wykr.

Twórcy

autor

Kania J.

• Pracownia Techniki Monitorowej Instytut Tele- i Radiotechniczny, Warszawa