Wpływ nośników nadmiarowych na promieniowanie termiczne bazy diody p-n

Piotrowski, T.; Sikorski, S.

Artykuł - szczegóły

Tytuł artykułu

Wpływ nośników nadmiarowych na promieniowanie termiczne bazy diody p-n

Autorzy

Piotrowski T. , Sikorski S.

Identyfikatory

Warianty tytułu

Influence of the excess current carriers on the thermal radiation of the p-n junction base

Języki publikacji

Abstrakty

Opisano wpływ równowagowych i nadmiarowych koncentracji nośników ładunku na gęstość strumienia promieniowania termicznego emitowanego z półprzewodnikowej struktury złącznej znajdującej się w temperaturze wyzszej od temperatury otoczenia nie przewodzącej prądu i przewodzącej prąd elektryczny. Dokonano analizy wpływu wymienionych koncentracji na emisyjność płytki półprzewodnikowej. Wykorzystując zależności teoretyczne na całkowitą gęstość strumienia promieniowania termicznego opisano metodykę pozwalającą na wyznaczanie koncentracji nośników nadmiarowych z pomiarów gęstości strumienia promieniowania termicznego rejestrowanego kamerą termowizyjną. Wykonano teoretyczne obliczenie rozkładu koncentracji nośników nadmiarowych w badanych diodach, rozwiązując równania transportu z gradiantem temperatury i porównano je z rezultatami uzyskanymi z pomiarów termooptycznych.

Influence of equilibrium and excess current carriers on radiant density emitted by the base of p-n junction has been studied. The cases of electrically conducting structure have been considered assumung its temperature higher that the ambient one. The influence of equilibrium and excess current carrier on semiconductor emissivity has been analysed. Using the theorretical formulas, drfining the total radiant of the thermal radiation, a method of the thermovision measurement enabling the determination of excess carriers concentration is described. The numerical solution of transport equations with temperature gradient defined excess carriers concentration. These numerical calculation are compared with the thermovision experimental data.

Słowa kluczowe

układ pomiarowy promieniowanie termiczne diody p-n pomiary termooptyczne

thermal radiation p-n junction thermovision measurement

Wydawca

Wydawnictwo SIGMA-NOT

Czasopismo

Elektronika : konstrukcje, technologie, zastosowania

Rocznik

2000

Tom

Vol. 41, nr 10

Strony

25--30

Opis fizyczny

Bibliogr. 13 poz., rys., wykr.

Twórcy

autor

Piotrowski T.

autor

Sikorski S.

Instytut Technologii Elektronowej, Warszawa

Bibliografia

Typ dokumentu

Bibliografia

Identyfikator YADDA

bwmeta1.element.baztech-article-BWA1-0015-0003