Tytuł artykułu
Autorzy
Identyfikatory
Warianty tytułu
Influence of the excess current carriers on the thermal radiation of the p-n junction base
Języki publikacji
Abstrakty
Opisano wpływ równowagowych i nadmiarowych koncentracji nośników ładunku na gęstość strumienia promieniowania termicznego emitowanego z półprzewodnikowej struktury złącznej znajdującej się w temperaturze wyzszej od temperatury otoczenia nie przewodzącej prądu i przewodzącej prąd elektryczny. Dokonano analizy wpływu wymienionych koncentracji na emisyjność płytki półprzewodnikowej. Wykorzystując zależności teoretyczne na całkowitą gęstość strumienia promieniowania termicznego opisano metodykę pozwalającą na wyznaczanie koncentracji nośników nadmiarowych z pomiarów gęstości strumienia promieniowania termicznego rejestrowanego kamerą termowizyjną. Wykonano teoretyczne obliczenie rozkładu koncentracji nośników nadmiarowych w badanych diodach, rozwiązując równania transportu z gradiantem temperatury i porównano je z rezultatami uzyskanymi z pomiarów termooptycznych.
Influence of equilibrium and excess current carriers on radiant density emitted by the base of p-n junction has been studied. The cases of electrically conducting structure have been considered assumung its temperature higher that the ambient one. The influence of equilibrium and excess current carrier on semiconductor emissivity has been analysed. Using the theorretical formulas, drfining the total radiant of the thermal radiation, a method of the thermovision measurement enabling the determination of excess carriers concentration is described. The numerical solution of transport equations with temperature gradient defined excess carriers concentration. These numerical calculation are compared with the thermovision experimental data.
Wydawca
Rocznik
Tom
Strony
25--30
Opis fizyczny
Bibliogr. 13 poz., rys., wykr.
Twórcy
Bibliografia
Typ dokumentu
Bibliografia
Identyfikator YADDA
bwmeta1.element.baztech-article-BWA1-0015-0003